EP5358xUI（X=L或H）为500mA的PowerSOC。EP5358xUI集成了MOSFET开关，控制，补偿，以及在先进的2.5毫米X 2.25毫米磁微型QFN封装。磁集成技术实现了微小的解决方案尺寸，低输出纹波，低元件数，并高可靠性，同时保持高效率。完整的解决方案，可以为实现在少15毫米2.该EP5358xUI采用3引脚VID轻松选择输出电压设定。输出电压设置在2优化的范围内工作提供覆盖典型的VOUT设置。VID引脚可以在快速运行中改变动态电压调节。EP5358LUI还具有选择使用外部分压器。该EP5358xUI是噪音的完美解决方案敏感和空间受限的应用要求高的效率。
概述
EP5358xUI只需要2个小MLCC电容器为一个完整的DC-DC转换器的解决方案。器件集成了MOSFET开关，PWM控制器栅极驱动器，补偿和电感器成微小的3mm x采用3mmx1.1毫米微型QFN封装。先进封装设计，随着高层集成，提供了非常低的输出纹波和噪声。EP5358xUI采用电压模式控制高抗噪性和负载匹配先进≤90nm负载。 3针VID，允许用户从81选择输出电压的设置。该EP5358xUI带有两个VID输出电压范围。该EP5358HUI提供VOUT从设置1.8V至3.3V的EP5358LUI提供VID设置为0.8V至1.5V ，并且也有一个外部电阻分压器选择方案输出设置在0.6V至VIN-0.25V范围内。EP5358xUI提供了业界任何500毫安DCDC的最高功率密度转换器解决方案。关键的推动者这一革命性的集成Enpirion公司的专有权力MOSFET技术。先进的MOSFET交换机在深亚微米实施CMOS提供高非常低开关损耗的开关频率，并允许高的水平的整合。半导体工艺允许所有的开关似乎少整合，控制和补偿电路。专有的磁性设计提供在一个非常高密度/高值磁占地面积小。Enpirion公司的磁仔细匹配的控制和补偿电路产生一个最优有保证的性能比的解决方案整个工作范围内。保护功能包括欠压锁相出（UVLO），过电流保护（OCP），短路保护和热过载保护保护。
集成电感器：低噪声，低EMI
EP5358xUI采用了专有的低损耗集成的电感器。的整合电感器大大地简化了电源设计过程。固有的屏蔽和集成电感器的结构紧凑降低了传导和辐射噪声可以耦合到所述印刷电路的迹线板。此外，该封装布局是优化，以减少电通路长度对于高di/dt输入AC纹波电流的是从辐射的主要来源DC-DC变换器。集成的电感器提供对复杂性的最优解，输出纹波和噪声困扰的低功耗DCDC转换器的设计。
过电流/短路保护
电流限制功能是通过实现感测流经感当前P-MOSFET其与参考电流。当此水平超过了P-场效应晶体管截止，所述N型场效应晶体管导通时，拉VOUT低。将此条件保持为大约0.5毫秒，然后正常软启动开始。如果过电流情况仍然存在，将重复这个循环。
热关断
当过多的功率耗散在芯片，结温升高。一旦结温度超过热关断温度热关断电路关断转换器的输出电压从而使器件冷却。当结温度由15C°，则减小设备将经过正常启动流程。
EP5358HUI应用电路图
EP5358LUI应用电路图
