BTS660P是N通道垂直功率FET，带电荷泵，电流控制输入和负载诊断反馈电流感，集成在Smart SIPMOS芯片片上技术。提供嵌入式保护功能。智能高边大电流电源开关通过功率MOSFET自导通反向电池保护过载保护电流限制短路保护过温保护过压保护（包括负载突降）输出端负电压钳位感应负载快速断电1）低欧姆反向电流操作负载电流检测诊断反馈通过电流检测开路负载检测Vbb保护2）静电放电（ESD）保护。
特征
过载保护
当前限制
短路保护
过温保护
过压保护（包括负载突降）
在输出端钳位负电压
感应负载快速断电1）
低欧姆反向电流操作
具有负载电流感应的诊断反馈
通过电流检测进行开路负载检测
Vbb保护丢失2）
静电放电（ESD）保护应用
带电流检测诊断的电源开关反馈最高48V直流接地负载
最适合具有高浪涌电流的负载像灯具和电机; 所有类型的电阻和感应负载
取代机电继电器，保险丝和分立电路
过压保护Vbb（AZ）70 V.
输出钳位VON（CL）62 V.
工作电压Vbb（on）5.0 ... 58 V.
导通电阻RON9mΩ
负载电流（ISO）IL（ISO）44 A.
短路电流限制IL（SC）90 A.
电流检测率IL：IIS 13 000
BTS660P数据表
除非另有说明，否则Tj = 25°C时的最大额定值
不短路所有输出将大大增加导通电阻，降低峰值电流能力并降低电流检测精度否则，如果使用引脚而不是RON，则向RON添加最多0.7mΩ（取决于引脚的使用长度）
标签。RI负载突降测试脉冲发生器的内部电阻。根据ISO 7637-1和DIN 40839，在没有将DUT连接到发电机的情况下设置VLoad转储。
BTS660P可以轻松连接两个或更多设备并联以增加负载电流能力。
SMD版本的典型RON约为0.2mΩ由于l≈2mm，比直引线
低欧姆短路到Vbb可以减小输出电流IL，因此可以通过感测电流IIS检测。功率晶体管“OFF”，由外部阻抗定义的电位。
