EL7562点击型号即可查看芯片规格书
EL7562是一款集成的同步降压稳压器的输出电压从1.0V至3.8V可调。它能够提供2A的连续电流以高达95％的效率。的EL7562工作在一个恒定的频率脉冲宽度调制（ PWM）方式，使得外部同步成为可能。专利的片上无电阻电流检测实现电流模式控制，这提供逐周期电流限制，过电流保护和卓越的阶跃负载响应。该EL7562是可在熔融铅16 Ld的QSOP封装。有了适当的外部元件，整个转换器装配到一个更小大于0.5的2区。在极少的外部元件，并小尺寸使这EL7562适用于台式机和便携式应用程序。该EL7562规定工作在0 ° C至+ 70°C温度范围。
框图
EL7562是一个固定频率，电流模式控制的DC-DC转换器，集成的N沟道功率MOSFET和一个高精度的基准。该装置集成了所有实现所需要的有源电路成本效益，用户可编程2A同步步进降压型稳压器适用于DSP内核电源使用。工作原理该EL7562是由5个主要模块：1. PWM控制器2. NMOS功率FET和驱动电路3.带隙基准4.振荡器5.热关断
PWM控制器的EL7562通过使用调节输出电压电流模式控制的脉冲宽度调制。三在PWM控制的主要内容是在反馈环路和参考，一个脉冲宽度调制器的占空比是由反馈误差信号，和一个滤光器来控制其平均值的逻辑电平调制器的输出。在降压（降压）转换器中，反馈环路强制时间该调制器的平均输出等于期望输出电压。不同于纯粹的电压模式控制系统，电流 -模式控制采用双反馈环路，以提供输出电压和电感电流的信息发送给控制器。电压回路最大限度地减少直流和瞬态通过调整PWM占空比的输出电压的误差响应于变化的线路或负载条件。自从输出电压是相等的时间平均的调制器的输出功率找到了比较大的LC时间常数供给应用程序通常导致低带宽和可怜的瞬态响应。通过直接监视中的变化通过一系列的感测电感器电流的电阻器的控制器的反应时间并不完全是由输出LC滤波器不限并且可以更快速地变化的电压和负载的反应条件。这种前馈的特点也简化由于交流回路补偿增加了一个零到整体环路响应。通过选择适当的电流 - 中反馈电压反馈比例总体环路响应将接近一个单极系统。由此产生的系统报价与传统的电压控制系统几大优势，其中包括简单的环路补偿，逐脉冲电流限制，线路的变化和良好的负载阶跃响应迅速反应。控制器的心脏是一个输入的直接求和比较其总电压反馈，电流反馈，斜率补偿斜坡和功率跟踪信号在一起。斜率补偿是为了防止系统发生在电流模式的不稳定拓扑操作在工作周期大于50 ％，而且也用于定义整个系统的开环增益。坡补偿是内部固定和500毫安优化电感纹波电流。电源跟踪无助任何输入到比较器的稳态操作。当前反馈是由获得专利的传感方案内测感测电感器中流过的电流的高侧切换时，它正在进行。在每个的开始振荡器周期的高边NMOS开关是否打开。比较器输入门关闭的最短期限大约为150ns （ LEB）之后高压侧开关时导通，以允许系统来解决。前沿消隐（ LEB ）期间防止错误的检测电压在比较器输入端由于切换噪声。如果电感电流超过最大电流限制(ILMAX）二次过流比较器将终止高边开关时间。如果我LMAX还没有达到，来自调节器的输出得到的反馈电压FB电压VOUT然后，相对于内部反馈基准电压。所得到的误差电压被相加与电流反馈和斜率补偿斜坡。高侧开关保持开启，直到所有四个比较器输入归纳到零，此时高压侧开关被关断和低侧开关被导通。然而，在高侧开关的最大导通占空比被限制为95％。为了消除交叉传导的高侧和低侧开关一个15ns的断裂先接后使延迟在开关驱动电路并入。该输出使能（ EN）输入允许稳压器的输出是由外部逻辑控制信号无效。然而，由于在相对较低的开环增益系统，增益会发生作为输出电压和环 - 错误增益被改变。这示于该性能曲线。一100nA的上拉电流从FB到VDD力VOUT到GND在事件的FB是浮动的。
引脚
NMOS功率FET和驱动电路
EL7562集成了低导通电阻（的60mΩ）NMOS场效应晶体管来实现高效率，在2A为了使用一个的NMOS开关，用于高侧驱动器，需要驱动栅极电压高于源极电压（LX） 。这是通过自举V完成HI脚上面的LX电压与一个外部电容器CVHI和内部开关和二极管。当低侧开关导通，对LX电压接近GND电位，电容CVHI充电通过内部开关VDRV，一般为5V 。在开始下一个循环的高压侧开关导通和在LX引脚开始上升，从GND到VIN势。作为LX引脚上升电容器C的正极板VHI紧接，最终到达V的值DRV+VIN通常10V ，对于VDRV=VIN= 5V 。然后这个电压电平移位，并用于驱动高侧FET的栅极，通过VHI引脚。值为0.1μF的CVHI值得推荐。
