ZNBG4000点击型号即可查看芯片规格书
设备描述ZNBG系列设备的设计是为了满足GAAS和HEMT FETS在卫星接收LNBS、PMR、蜂窝电话等中共同使用的偏差要求，以及最低限度的外部组件。加上两个电容器和电阻器，该器件为一系列外部地基源功率提供了排水电压和电流控制，产生了一个单电源操作所需的调节负轨。这一负偏差，在-3伏特，也可用于供应其他外部电路。
功能描述ZNBG器件提供外部FET的所有偏压要求，包括从单电源电压产生栅极偏压所需的负电源。上图显示了ZNBG系列的单级。ZNBG4000/1包含4个阶段，ZNBG6000/1包含6个阶段。负轨发生器是所有设备的共用部件。外部FET QN的漏极电压由ZNBG装置设定为其正常工作电压。这由车载VD设置参考确定，对于ZNBG4000/6000，这名义上是2.2伏，而ZNBG4001/6001名义上是2伏。场效应管的漏极电流由低值电阻ID感应监测。驱动场效应管栅极的放大器调节QN的栅极电压，以便所取的漏电流与外部电阻器RCAL所要求的电流匹配。这两个ZNBG器件都能将不同的漏电流编程到选定的场效应晶体管中。提供两个RCAL输入。对于ZNBG4000，电阻器RCAL1设置FET 1和2的漏电流，电阻器RCAL2设置FET 3和4的漏电流。对于ZNBG6000，电阻器RCAL1设置FET 1和4的漏电流，电阻器RCAL2设置FET 2、3、5和6的漏电流。由于场效应管是一个耗尽型晶体管，通常需要驱动其栅极相对于地负，以获得所需的漏电流。为了提供由单一正电源供电的这种能力，该装置包括一个低电流负电源发生器。该发电机使用一个内部振荡器和两个外部电容器，即CNB和CSUB。
应用信息上述是ZNBG系列的部分应用电路，显示了适当偏压所需的所有外部元件。偏压电路在全温度范围内无条件稳定，电路中有相关的场效应管和栅漏电容。电容器CD和CG确保剩余电源和基板发电机噪声不允许影响其他可能对射频干扰敏感的外部电路。它们还可以通过ZNBG设备抑制各阶段之间的任何潜在射频馈通。所有使用的阶段都需要这些电容器。建议分别为10nF和4.7nF，但这取决于设计，可以使用1nF和100nF之间的任何值。电容器CNB和CSUB是ZNBGS负电源发生器的组成部分。负偏压由内部振荡器在芯片上产生。电容器CNB和CSUB的要求值为47nF。该发电机产生约-3伏的低电流电源。尽管该发生器仅用于偏压外部FET，但它可以通过CSUB管脚为其他外部电路供电。电阻器RCAL1/2设置所有外部FET工作时的漏极电流。这两个ZNBG器件都能将不同的漏电流编程到选定的场效应晶体管中。提供两个RCAL输入。对于ZNBG4000，电阻器RCAL1设置FET 1和2的漏电流，电阻器RCAL2设置FET 3和4的漏电流。对于ZNBG6000，电阻器RCAL1设置FET 1和4的漏电流，电阻器RCAL2设置FET 2、3、5和6的漏电流。如果任何一个设备上的所有FET都需要相同的漏极电流，那么插脚RCAL1和RCAL2可以连接在一起，并通过一个半正常值的校准电阻分流到地面。如果不需要任何偏压控制电路，其相关的漏极和栅极连接可能会保持开路，而不会影响其余偏压电路的工作。如果省略了与电流设置电阻器相关的所有FET，则仍应包括特定的RCAL。如果需要，可以使用高值RCAL电阻器（例如470K）降低电源电流。
应用信息（续）ZNBG器件的设计目的是保护外部场效应晶体管免受不利操作条件的影响。当JFET与任何偏压电路相连时，偏压电路的栅极输出电压在任何情况下（包括通电和断电瞬态）都不能超过-3.5 V至0.7 V的范围。如果负偏压发生器短路或过载，使外部FET的漏极电流无法控制，则关闭FET的漏极电源，以避免漏极电流过大而损坏FET。下图显示了典型LNB应用中的ZNBG4000/1和ZNBG6000/1。在每个FET增益级内，编号系统指示偏置级与应用电路的关系。当RCAL值用于设置不同的漏极电流时，这一点很重要。
双标准或增强型LNB方框图
双标准或增强型LNB方框图。高增益
