HMC358MS8GETR点击型号即可查看芯片规格书
HMC358MS8GETR为砷化镓InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMICVCO。HMC358MS8GETR集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。VCO的阶段超温噪声性能优异，由于振荡器的单片集成电路而产生的冲击和过程结构3V电源的典型功率输出为11dBm电源电压。压控振荡器是封装在一个低成本的表面安装8引脚MSOP中带有外露底座的封装，可提高射频和热性能。
| 制造商 | ADI公司 |
| 制造商产品编号 | HMC358MS8GETR |
| 供应商 | ADI公司 |
| 描述 | I2C MMIC VCO 带缓冲放大器 8MSOP |
| 类别 | RF/IF，射频/中频和RFIDRF其它IC和模块 |
| 包装 | 卷带(TR) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP(0.118"，3.00mm宽)裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-MSOPG |
| 基本产品编号 | HMC358 |
HMC358MS8GETR
| 零件状态 | 在售 |
| 功能 | VCO，缓冲放大器 |
| 频率 | 5.8GHz~6.8GHz |
| 射频类型 | 超局域网，UNII |
| 引脚数 | 8 |
| 频率 | 6.8吉赫 |
| 逻辑功能 | 缓冲 |
| 供电电流 | 100mA |
| 工作温度(Max) | 85℃ |
| 工作温度(Min) | -40℃ |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| REACH状态 | 非REACH产品 |
| 无铅 | 含铅 |
撅嘴：+11dBm
相位噪声：-110dBc/Hz@100KHz
不需要外部谐振器
单电源：3V@100mA
15mm2MSOP8GSMT封装
UNII&Pt.到Pt.收音机
802.11a和HiperLANWLAN
VSAT无线电
HMC358MS8GETR符号
HMC358MS8GETR焊垫
HMC358MS8GETR 3D模型
HMC358MS8GETR封装
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| HMC358MS8GE | 亚德诺 | RF模块、IC及配件 | 压控振荡器,带缓冲器放大器,5.8-6.8GHZ |
亚德诺半导体技术有限公司(英语：Analog Devices，NYSE：ADI)是一家财富500强美国的跨国半导体装置生产商。亚德诺半导体技术有限公司专为消费与工业产品制造ADC、DAC、MEMS与DSP芯片。其是将创新、业绩和卓越作为企业的文化支柱，并基此成长为该技术领域很持久高速增长的企业之一。拥有遍布世界各地的60,000客户，涵盖了全部类型的电子设备制造商。公司总部设在美国马萨诸塞州诺伍德市，设计和制造基地遍布全球。
