N25Q128A13ESE40F中文规格书PDF与引脚图

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描述

N25Q128A13ESE40F是第一款采用65nmNOR技术制造的高性能多输入/输出串行闪存设备。它具有就地执行(XIP)功能、高级写保护机制和高速SPI兼容总线接口。创新、高性能、双输入/输出指令和四输入/输出指令为读取和编程操作启用两倍或四倍的传输带宽。内存为256(64KB)个主扇区，进一步划分为16个各界别分组(共4096个界别分组)。内存可以一次擦除一个4KB子扇区，一次擦除64KB扇区，或者一个整体。根据应用需要，N25Q128A13ESE40F可以通过易失性和非易失性保护功能由软件进行写保护。保护粒度为64KB(扇区粒度)用于易失性保护,有64个一次性可编程(OTP)字节，可通过读取OTP和编程OTP命令进行读取和编程。这64个字节也可以使用程序OTP命令永久锁定。N25Q128A13ESE40F还能够通过使用专用的编程/擦除暂停、恢复指令暂停、恢复编程、擦除周期。

产品概述

制造商	美光科技公司
制造商产品编号	N25Q128A13ESE40FTR
供应商	美光科技公司
描述	IC 闪存 128MBIT SPI 108MHZ 8SO
详细描述	FLASH-NOR存储器IC128Mb(32Mx4)SPI108MHz8-SO
类别	集成电路(IC)存储器
工作温度	-40°C~85°C(TA)
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-SOIC(0.209"，5.30mm宽)
供应商器件封装	8-SO
基本产品编号	N25Q128A13

产品图片

N25Q128A13ESE40F

规格参数

箱/包	集成电路
引脚数	8
访问时间	7纳秒
地址总线宽度	1个
密度	128兆字节
频率	108兆赫
界面	SPI，串行
最高工作温度	85℃
最大电源电压	3.6V
内存大小	16MB
内存类型	闪存，NOR
最低工作温度	-40℃
最小电源电压	2.7伏
标称电源电流	20mA
包装	卷带
系列	N25Q
存储容量	128Mbit
电源电压-最小	2.7V
电源电压-最大	3.6V
接口类型	SPI
最大时钟频率	108MHz
组织	16Mx8
数据总线宽度	8bit
页面大小	256乙
同步/异步	同步
高度	1.91毫米
长度	5.49毫米
宽度	5.49毫米

环境与出口分类

属性	描述
RoHS状态	符合ROHS3规范
湿气敏感性等级(MSL)	3(168小时)
REACH状态	非REACH产品

特点

• SPI兼容串行总线接口

• 108MHz(最大)时钟频率

• 2.7–3.6V单电源电压

• 双/四路I/O指令提供高达432MHz的增量吞吐量

• 支持的协议

• 三种协议均采用就地执行(XIP)模式

• 编程/擦除挂起操作

• 通过单个命令连续读取整个内存

• 灵活适应应用

• 软件复位

• 64字节，用户可锁定，一次性可编程(OTP)专用区域

• 擦除能力

• 写保护

• 电子签名

• 每个扇区至少100000次擦除周期

• 超过20年的数据保留

• 符合JEDEC标准的软件包，所有RoHS兼容

电路图

引脚图

CAD模型

N25Q128A13ESE40F符号

N25Q128A13ESE40F脚印

封装

N25Q128A13ESE40F封装

替代型号

型号	制造商	品名	描述
N25Q128A13ESE40G	美光	Flash芯片	闪存,或非,128Mbit,16Mx8位,108MHz,SPI,WSOIC,8引脚
N25Q128A13ESE	美光	Flash芯片	40ENOR闪存串行SPI3V/3.3V128Mbit128M/64M/32Mx1Bit/2Bit/4Bit7ns8针带托盘

产品制造商介绍

美光科技有限公司(MicronTechnology,Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所交易(NYSE)。美光科技有限公司(以下简称美光科技)是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。