NIS5112D1R2G点击型号即可查看芯片规格书
NIS5112D1R2G是一款集成开关，采用由内部电荷泵驱动的高端N沟道FET。该开关具有SENSEFET®，允许使用廉价的片式电阻器而不是昂贵的低阻抗分流器进行电流检测。它设计用于在12V系统中运行，并包括一个强大的热保护电路。
产品型号 | NIS5112D1R2G |
描述 | IC电子保险丝热插拔8SOIC |
分类 | 集成电路(IC) |
制造商 | 安森美半导体 |
工作温度 | -40°C〜175°C |
包装/箱 | 8-SOIC(0.154英寸，3.90mm宽度) |
供应商设备包装 | 8-SOIC |
基本零件号 | NIS5112 |
NIS5112D1R2G
制造商包装说明 | SOIC-8 |
产品类型 | 自恢复保险丝- PPTC |
可调门限 | 是的 |
JESD-30代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
通道数 | 1个 |
功能数量 | 1个 |
端子数 | 8 |
电源电压标称(Vsup) | 12.0伏 |
温度等级 | 其他 |
终端精加工 | 锡(Sn) |
终端表格 | 鸥翼 |
端子间距 | 1.27毫米 |
终端位置 | 双 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
深度 | 4毫米 |
高度 | 1.5毫米 |
长度 | 5毫米 |
宽度 | 4毫米 |
安装类型 | 表面贴装 |
包装体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包裹代号 | SOP |
包装等效代码 | SOP8，.25 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 小轮廓 |
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小时) |
集成电源设备
功率器件热保护
无需外部电流分流器
使能/定时器引脚
输出电压的可调摆率
9V至18V输入范围
30mΩ(典型值)
内部电荷泵
ESD等级：人体模型(HBM);4000伏
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。
