STM32F479NIH6中文资料与PDF资料

元器件信息   2022-11-30 08:39   255   0  

STM32F479NIH6点击型号即可查看芯片规格书


芯片规格书搜索工具-icspec


描述

STM32F479NIH6器件基于高性能ARM® Cortex®-M432位RISC内核,工作频率高达180MHz。Cortex®-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个内存保护单元(MPU),增强了应用程序的安全性。STM32F479NIH6包含高速嵌入式存储器(高达2MB的闪存、高达384KB的SRAM)、高达4KB的备份SRAM,以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外设,两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。所有器件均提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器,包括两个用于电机控制的PWM定时器,两个通用32位定时器和一个真随机数发生器(RNG)。它们还具有标准和高级通信接口。

产品概述

产品型号

STM32F479NIH6

描述

IC MCU 32BIT 2MB闪存216TFBGA

分类

集成电路(IC),嵌入式-微控制器

制造商

STMicroelectronics

系列

STM32F4

电压-电源(Vcc / Vdd)

1.7V〜3.6V

工作温度

-40°C〜85°C(TA)

包装/箱

216-TFBGA

供应商设备包装

216-TFBGA(13x13)

基本零件号

STM32F479

产品图片

STM32F479NIH6

STM32F479NIH6

规格参数

产品种类

ARM微控制器 - MCU

系列

STM32F479NI

零件状态

活性

核心

ARM Cortex M4

程序存储器大小

2 MB

数据总线宽度

32 bit

ADC分辨率

12 bit

最大时钟频率

180 MHz

输入/输出端数量

161 I/O

数据 RAM 大小

384 kB

工作电源电压

3.3 V

程序存储器类型

Flash

数据 Ram 类型

SRAM

接口类型

CAN, I2C, I2S, SAI, SDIO, SPI, UART, USART, USB

模拟电源电压

3.3 V

DAC分辨率

12 bit

I/O 电压

3.3 V

I / O数量

161

振荡器类型

内部

ADC通道数量

24

封装

托盘

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TFBGA-216

环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

3(168小时)

特点

  • 基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核

  • Cortex®-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度

  • 支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型

  • 实现全套DSP指令和一个存储器保护单元(MPU)

  • 增强应用程序的安全性

  • 集成高速嵌入式存储器(高达2MB的闪存,高达384KB的SRAM的闪存,高达4KB的备用SRAM

  • 连接到两条APB总线的广泛的增强型I/O和外设

  • 两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵

  • 具有标准和高级通信接口

  • 所有器件都提供三个12位ADC,两个DAC,一个低功耗RTC,十二个通用16位定时器,其中包括两个用于电机控制的PWM定时器,两个通用的32位定时器和一个真正的随机数生成器(RNG)

CAD模型

STM32F479NIH6符号

STM32F479NIH6符号

STM32F479NIH6脚印

STM32F479NIH6脚印

产品制造商介绍

意法半导体(STMicroelectronics)是一家国际性的半导体生产商,总部位于瑞士日内瓦。公司总部设在瑞士日内瓦,同时也是欧洲及中东和非洲区(EMEA)的总部。 美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿;大中华暨南亚区的总部设在上海;日本及韩国区总部设在东京。意法半导体在很多不同的应用领域位列世界前茅(2),包括工业用半导体、打印机喷头和便携设备及消费电子设备用 MEMS(微机电系统)传感器, MPEG 解码器和智能卡芯片,汽车集成电路、计算机外设和无线半导体。

登录icspec成功后,会自动跳转查看全文
博客评论
还没有人评论,赶紧抢个沙发~
发表评论
说明:请文明发言,共建和谐网络,您的个人信息不会被公开显示。