STDRIVE601-三半桥高压栅极驱动器

元器件信息   2022-12-06 10:21   106   0  

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产品概述


描述

STDRIVE601是采用BCD6s离线技术制造的高压器件。它是一种带有三重半桥栅极驱动器的单晶片,面向N沟道功率MOSFET或IGBT(适合于三相应用)。

所有器件输出可以分别提供350 mA的灌电流和200 mA的拉电流。互锁和死区功能可防止交叉传导。

该器件有专门的输入引脚(对应每个输出)和关断引脚。逻辑输入兼容CMOS/TTL(可低至3.3 V),易于与控制器件连接。低侧和高侧之间的匹配时延保证脉冲不失真,允许高频操作。

STDRIVE601内嵌的比较器集成了先进的SmartSD功能,确保快速有效地防止过流、超温等故障发生。

在低侧和每个高侧驱动部分有专门的UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。

集成式自举二极管和该IC的所有集成特性使应用PCB设计更轻松、紧凑和简单,从而降低了整体物料成本。

该器件采用SO-28封装。

所有功能

  • 高压导轨达600 V
  • 驱动器电流能力:
    • STDRIVE601:
    • 200 mA 拉电流 @ 25 °C
    • 350 mA 灌电流 @ 25 °C
  • dV/dt瞬态抗扰度±50 V/ns
  • 栅极驱动电压范围:9 V 至20 V
  • 总输入 - 输出传播延迟:85 ns
  • 面向所有通道的匹配传播时延
  • 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入

  • 集成自举二极管
  • 比较器,用于快速过流保护
  • 智能关断功能
  • 互锁和死区功能
  • 专用的使能引脚
  • 在低侧和高侧实现UVLO功能


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