PWD13F60-高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器

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产品概述

描述

PWD13F60是一款高密度功率驱动器，集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET，采用双半桥配置。

集成功率MOSFET的RDS(on) 为 320 mΩ 漏源击穿电压为600 V，而集成自举二极管可方便地提供高侧的嵌入式栅极驱动器。该设备的高度集成使其能够在极小的空间内有效地驱动负载。

PWD13F60器件接受在很宽范围内扩展的电源电压(VCC) 并通过电源电压上的低压UVLO检测进行保护。

输入引脚扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。

该设备可在紧凑的VFQFPN封装中使用。

所有功能

• 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的系统级封装
  • Low RDS(on) = 320 mΩ
  • BVDSS = 600 V
• 适合作为
  • 全桥
  • 双独立半桥
•  驱动器电源电压低至6.5 V.
•  电源电压的UV保护
• 3.3V至15 V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
• 互锁功能，防止交叉传导
•  内置自举二极管
• 输出与输入同相位
•  非常紧凑和简化的布局
•  灵活，简单，快速的设计

电路原理图