PWD5F60点击型号即可查看芯片规格书
产品概述
PWD5F60是一款先进的system-in-package产品，集成了栅驱动器和双半桥四个N通道功率MOSFETs。
集成功率MOSFET具有1.38Ω的RDS(ON) 和600 V漏极 - 源极击穿电压，而集成的自举二极管可以帮助轻松提供上桥臂的栅极驱动。该器件的高集成度可以在狭小的空间内有效地驱动负载。
PWD5F60可接受宽范围（10 V至20 V）的电源电压（VCC）, 并在下部和上部驱动部分都具有UVLO保护功能, 可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
该输入引脚扩展范围允许与微控制器， DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
PWD5F60内嵌两个独立的比较器，可用于防止过流，过温等保护。
PWD5F60的工作温度范围为-40°C至125°C。
该器件采用紧凑型VFQFPN封装。
