STDRIVEG600-GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

元器件信息   2022-12-06 10:26   290   0  

STDRIVEG600点击型号即可查看芯片规格书


芯片规格书搜索工具-icspec


产品概述


描述

STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。

高边部分的设计可承受最高600 V的电压,适用于总线电压高达500 V的设计。

该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压,其设计用于驱动高速GaN和Si FET。

STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。

逻辑输入兼容CMOS/TTL(可低至3.3 V),易于与微控制器和DSP连接。

所有功能

  • dV/dt抗扰度±200 V/ns
  • 驱动器电流能力:
    • 1.3/2.4 A 拉/灌 典型值 @25°C,6 V
    • 5.5/6 A 拉/灌 典型值 @25°C,15 V
  • 开关栅极驱动器引脚相分离
  • 45 ns传播延迟,紧密匹配
  • 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入
  • 互锁功能
  • 低边和高边部分的UVLO
  • 关闭功能专用引脚
  • 超温保护


登录icspec成功后,会自动跳转查看全文
博客评论
还没有人评论,赶紧抢个沙发~
发表评论
说明:请文明发言,共建和谐网络,您的个人信息不会被公开显示。