STDRIVEG600点击型号即可查看芯片规格书
产品概述
STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。
高边部分的设计可承受最高600 V的电压,适用于总线电压高达500 V的设计。
该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压,其设计用于驱动高速GaN和Si FET。
STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。
逻辑输入兼容CMOS/TTL(可低至3.3 V),易于与微控制器和DSP连接。