STDRIVEG600-GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

STDRIVEG600点击型号即可查看芯片规格书

芯片规格书搜索工具-icspec

产品概述

描述

STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。

高边部分的设计可承受最高600 V的电压，适用于总线电压高达500 V的设计。

该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压，其设计用于驱动高速GaN和Si FET。

STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。

逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于与微控制器和DSP连接。

所有功能

• dV/dt抗扰度±200 V/ns
• 驱动器电流能力：
  • 1.3/2.4 A 拉/灌 典型值 @25°C，6 V
  • 5.5/6 A 拉/灌 典型值 @25°C，15 V
• 开关栅极驱动器引脚相分离
• 45 ns传播延迟，紧密匹配
• 具有迟滞的3.3 V，5 V TTL / CMOS输入
• 互锁功能
• 低边和高边部分的UVLO
• 关闭功能专用引脚
• 超温保护