产品概述
MASTERGAN2是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。
集成的GaN功率晶体管具有650 V漏-源击穿电压、低侧和高侧的RDS(ON)分别为150mΩ和225mΩ,而嵌入式栅极驱动器的高侧可以由集成的自举二极管轻松供电
MASTERGAN2在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。
输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
MASTERGAN2的工作温度范围为-40°C至125°C。
该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。