MASTERGAN5-High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power HEMTs

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产品概述

描述

MASTERGAN5是一款先进的系统级功率封装，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN功率晶体管。集成式功率GaN具有650 V漏极-源极阻断电压，以及450mΩ的导通电阻RDS(ON)，而嵌入式栅极驱动器的高边可以由集成的自举二极管轻松供电。

MASTERGAN5在上下管部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。

输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

MASTERGAN5的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

所有功能

• 集成了半桥栅极驱动器的高压600 V系统级封装GaN功率晶体管：
  • QFN 9 x 9 x 1 mm 封装
  • RDS(ON) = 450 mΩ
  • IDS(MAX) = 4 A
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 低侧和高侧UVLO保护
• 集成自举二极管
• 互锁功能
• 关闭功能专用引脚

• 准确的内部定时匹配
• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
• 超温保护
• 减少物料单
• 非常紧凑且简便的布局
• 灵活快捷的设计。