2月23日，Silicon Labs（芯科科技）推出全新的多合一隔离解决方案Si823Hx栅极驱动器板，可为最近发布的Wolfspeed WolfPACK™电源模块提供支持。Wolfspeed电源模块可用于众多电源应用，包括工业和汽车市场中的电动汽车（EV）充电器和电机驱动器。该板包含Si823Hx隔离栅极驱动器和集成了DC-DC转换器的Si88xx数字隔离器，可以紧凑且经济高效的设计提供卓越的性能，并针对各种模块进行了优化。
据介绍，Si823Hx栅极驱动器板可高效地驱动和保护采用任何开关技术的电源模块，包括在要求最严苛的大功率应用中使用的先进碳化硅（SiC）模块。
通过在小型封装中内置死区时间控制和重叠保护功能，双通道Si823Hx隔离栅极驱动器提供了较大价值，其能够以较少的设计工作量来安全地驱动半桥拓扑。高度集成的Si88xx器件不仅可以将电源模块的温度传输给控制器，还可为板上电路提供所有电源，从而进一步降低成本和简化设计。
2月23日，英飞凌科技推出650V关断电压的CoolSiC™ Hybrid IGBT单管。新款器件结合了650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于DC-DC和功率因数校正（PFC）。其常见应用包括：电池充电基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS），以及服务器和电信开关电源（SMPS）。
由于IGBT反并联SiC肖特基势垒二极管，在dv/dt和di/dt值几乎不变下，CoolSiC™ Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比，新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下，开关频率提高至少40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸，进而降低物料成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP™ 5 IGBT，无需重新设计，便能使每10kHz开关频率提升0.1%的效率。
此产品系列可作为全Si解决方案和高效能SiC MOSFET设计之间的衔接，与全Si设计相比，Hybrid IGBT可提升电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性特性，使二极管能快速开关，而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极控制回路，并降低总开关损耗。
2月2日，凌华科技推出高度紧凑且支持GPU的全新DLAPx86系列深度学习加速平台，是目前市场上较为紧凑的GPU深入学习加速平台。DLAPx86系列可用于部署边缘处的大规模深度学习，采集边缘产生的数据并采取行动。DLAPx86系列针对大规模边缘AI布署所设计，可将深度学习带进终端，拉近与现场资料、现场决策应变的距离。该平台的优化配置可加速需要大量内存的计算密集型AI推理和任务学习，助力各行业应用的AI部署。
DLAPx86系列优势：（1）高性能异构架构——采用Intel®处理器和NVIDIA Turing™ GPU架构，提供比其他技术更高的GPU加速运算以及优化的每瓦效能和每单位投资效能。（2）DLAPx86系列的最小体积仅为3.2升，是移动医疗成像设备等紧凑型移动设备和仪器的理想选择。（3）DLAPx86系列采用坚固耐用型设计，可承受高达50摄氏度/240瓦特的散热温度及2Grms的振动强度，并提供高达30Grms的防震保护，具备工业、制造业和医疗环境所需的可靠性。
DLAPx86在边缘AI应用中在效能、体积、重量、功耗等设计取得平衡，将每瓦效能、每单位投资效能极大化，应用案例包括：
2月18日，Vishay推出新款符合AEC-Q200标准的NTC热敏电阻——NTCLE350E4，采用PEEK绝缘镍铁（NiFe）合金引线，热梯度低。而且其热敏电阻耐高温达+185℃，适合各种汽车应用快速、高精度温度检测。
NiFe合金NTCLE350E4传感器导线导热性目前在市场上最低。因此，器件热梯度小于0.01K/K（或1%），几乎不向周围环境散发热量，可进行高精度温测，优于铜等其他导线材料几个度量级。为加强高湿度条件下的可靠性，传感器PEEK绝缘引线与封装环氧树脂之间具有高粘合强度。NTC检测芯子最大直径为2.4mm，空气中快速响应时间为6秒。
NTCLE350E4具有高精度、快速响应和耐高温能力，适用于内燃发动机冷却液、燃料、歧管气体压力（MAP / TMAP）传感器，以及暖通空调（HVAC）应用。在电力牵引电机中，器件可灌封或模压到传感器中，保护大电流连接器。除废气再循环（EGR）应用外，NTCLE350E4还可以用作变速箱系统和液冷起动发电机系统的油温传感器（OTS）。
目前，NTCLE350E4现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。
2月19日，Vishay推出新款可见红外高感光度高速硅PIN光电二极管——VEMD8081，扩充光电二极管产品组合。该器件采用矩形4.8mm x 2.5mm顶视表面贴封装，厚度薄至0.48mm，典型反向光电流为33µA，提高可穿戴设备和医疗应用生物传感器性能。
VEMD8081在相同封装尺寸条件下，反向光电流比其前身VEMD8080大15%，为设计人员提供直接替代器件，增加信号输出提高性能，或减小LED电流延长电池寿命。
VEMD8081位于两个绿色脉动LED之间，可在运动追踪器和智能手表等可穿戴设备中进行心率检测。光电二极管接收皮肤反射回来的光，将其转换为输出电流，器件提高了灵敏度，可进行更精确的测量。VEMD8081矩形形状最大化光电二极管感光区，消除一般正方形光电二极管浪费的面积。结合红光和红外发射器，器件适用于医疗监护仪的SpO2测量。
目前VEMD8081现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。
责任编辑：Momo
