IR扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有极低的导通电阻 (RDS(on))。
IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装，导通电阻典型值只有500µΩ，可大幅降低传导损耗，因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 应用。新器件可使用3.3V、5V或12V的电源轨操作，在20A电流和同样的30 mm2尺寸的封装中，可比同类最佳PQFN器件降低15%的损耗，使设计人员能够在大电流应用内减少器件数量。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“StrongIRFET系列经过扩充后，能够满足市场对动态ORing和电子保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业领先的导通电阻，从而实现无可比拟的功率密度。”
与DirectFET系列的其它器件一样，IRL6283M可提供有效增强电气性能和热性能的顶侧冷却功能，以及旨在提高可靠性的无键合线设计。此外，DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期的设计。同类的高性能封装包含高铅裸片，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。
规格
|
器件编号 |
电压 |
最高 VGS |
封装 |
电流 额定值 |
导通电阻 (典型/最高) |
认证级别 |
||
|
(V) |
(V) |
(A) |
10V |
4.5V |
2.5V |
|||
|
IRL6283M |
20 |
12 |
DirectFET MD |
211 |
.50/.75 |
.65/.87 |
1.1/1.5 |
工业 |
|
IRFH8201 |
25 |
20 |
PQFN 5x6B |
100* |
.80/.95 |
1.20/1.60 |
不适用 |
|
|
IRFH8202 |
.90/1.05 |
1.40/1.85 |
||||||
|
IRFH8303 |
30 |
.90/1.10 |
1.30/1.70 |
|||||
|
IRFH8307 |
1.1/1.3 |
1.7/2.1 |
||||||
|
IRF8301M |
DirectFET MT |
192 |
1.3/1.5 |
1.9/2.4 |
||||
IR的StrongIRFET系列同时提供采用了行业标准占位面积的PQFN封装器件和不含铅的环保封装，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
