HMC326MS8GETR_中文资料_ADI_PDF下载_规格参数

元器件信息   2022-10-14 18:31   276   0  

HMC326MS8GETR 点击型号即可查看芯片规格书

产品概述

产品型号

HMC326MS8GETR

描述

IC射频放大器GP 3GHZ-4.5GHZ 8MSOP

分类

RF / IF和RFID,射频放大器

制造商

ADI公司

打包

切割带(CT)

零件状态

活性

电压-电源

5伏

包装/箱

8-TSSOP,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽度)裸焊盘

供应商设备包装

8-MSOPG

基本零件号

HMC326

产品图片

HMC326MS8GETR

HMC326MS8GETR

规格参数

制造商包装说明

符合RoHS标准,超小型,塑料,SMT,MSOP-8

符合REACH

符合欧盟RoHS

符合中国RoHS

状态

活性

射频/微波设备类型

宽带中功率

特性阻抗

50.0欧姆

结构

零件

增益

18.0分贝

最大输入功率(CW)

15.0分贝

噪声系数

5分贝

JESD-609代码

e3

安装功能

表面贴装

功能数量

1个

端子数

8

最小工作频率

3000.0兆赫

最大工作频率

4500.0兆赫

P1分贝

23.5dBm

最低工作温度

-40℃

最高工作温度

85℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装等效代码

TSSOP8,.19

子类别

射频/微波放大器

最大电源电流

160.0毫安

技术

双极

终端完成

锡(Sn)


环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

特点

  • 饱和输出功率:+26 dBm

  • > 40% PAE

  • 输出 IP3:+36 dBm

  • 超小型封装:MSOP8G

应用领域

  • 微波无线电

  • 宽带无线电系统

  • 无线本地环路驱动放大器

产品制造商介绍

亚德诺半导体技术有限公司(英语:Analog Devices,NYSE:ADI)是一家财富500强美国的跨国半导体装置生产商。亚德诺半导体技术有限公司专为消费与工业产品制造ADC、DAC、MEMS与DSP芯片。他们目前正在设计大小范围为65奈米到3微米的电路。该公司总部位于麻省诺伍德市,于美国与爱尔兰利默里克市拥有生产工厂,于菲律宾拥有巨大的包装设备,开发中心位于以色列、中国北京及上海、日本东京、台湾台北、苏格兰爱丁堡、澳洲墨尔本、 印度海得拉巴及班加洛、德国慕尼黑、西班牙瓦仑西瓦与其他地方。

登录icspec成功后,会自动跳转查看全文
博客评论
还没有人评论,赶紧抢个沙发~
发表评论
说明:请文明发言,共建和谐网络,您的个人信息不会被公开显示。