继唯捷创芯、好达电子等企业之后，科创板即将再次迎来一家射频芯片企业。
上交所网站信息显示，南京国博电子股份有限公司（以下简称“国博电子”）科创板申请于9月24日获上交所受理。
资料显示，国博电子成立于2000年11月，注册资本3.6亿元，主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，主要产品包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等，主要应用于相控阵雷达等军用领域以及通信基站等民用领域。
据悉，自成立以来，国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。在高密度集成领域，公司基于设计、工艺和测试三大平台，开发了T/R组件、射频模块等产品；在射频芯片领域，公司基于核心技术开发了射频放大类芯片、射频控制类芯片等产品。
值得一提的是，招股说明书显示，国博电子的控股股东为中电国基南方集团有限公司（以下简称“国基南方”），持股比例为39.81%，而实际控制人为中国电子科技集团有限公司（以下简称“中国电科”），后者由国务院国资委100%持股。
△国博电子股权结构图（Source：招股书截图）
招股书显示，中国电科通过三家国有股东国基南方（39.81%）、中国电科五十五所（18.49%）和中电科投资（3.32%）间接控制国博电子61.62%的股份。
此外，截至本招股说明书签署之日，持有国博电子5%以上股份的其他股东包括还包括中电科国微（17.15%）、天津丰荷（8.28%）、以及南京芯锐（6.37%）。
近10年来，国博电子一直专注于射频微波毫米波领域相关产品的研发。招股书显示，报告期内，国博电子的研发费用分别为9200.43万元、1.63亿元、2.08亿元和1.03亿元，占同期营业收入的比例分别为5.34%、7.31%、9.38%和9.08%。
据披露，国博电子此次拟募集资金26.75亿元，扣除发行费用后将全部用于公司主营业务相关的项目射频芯片和组件产业化项目，项目总投资额14.75亿元。国博电子将在已有的射频芯片、微波毫米波T/R组件和射频模块产品的基础上，进一步升级研发射频芯片、模块和T/R组件领域相关技术。
从市场竞争格局来看，目前射频集成电路市场主要被国外厂商垄断，当前，全球射频集成电路市场前五大厂商分别为Murata、Skyworks、Broadcom、Qorvo和Qualcomm，而国内射频芯片厂商由于起步较晚，在技术积累、产业环境、人才培养、创新能力等方面还有待加强。
国博电子表示，本项目结合芯片设计行业的特点，在前端模组、5G射频开关、天线调谐器、三代半导体发射器件等新技术、新产品方面加大投入，进一步扩大国产化产品的市场份额，抢占高端市场，逐步缩减与国际领先企业的距离，在我国5G商用化的关键阶段，助推射频芯片产品实现国产替代，提升我国在全球射频集成电路的行业地位。
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