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DS2784高边nFET保护器没有针对充电器反接的保护电路。因此，故障状态下，如果充电器反向连接，DC FET将可能处于导通状态。本文介绍了发生充电器反接时可使DC FET保持关闭的外部电路。
DS2784 没有应对充电器反向连接的保护电路。当充电器反接时，DC FET将可能在故障期间处于导通状态，从而使电池完全耗尽。由于当前工艺的限制，到目前为止没有任何内部方案可以解决这一问题。文章详细介绍了在充电器反向连接时可确保DC FET关闭的外部电路。
故障状态下，DS2784采用高边n沟道FET (nFET)断开电池。如果充电器反向连接，DS2784的PK+电压为-5V；此时DC FET源极的电压为-5V。当保护器试图关闭DC FET时，栅极电压为0V。这使得DC FET栅-源电压为+5V，从而使之处于导通状态。
解决该问题的办法是当充电器反向连接时用共漏极nFET将DC FET的栅极与源极短路。这样，当PK+与PK-间有-5V电压时这些FET被置为导通状态；这使DC FET的栅极-源极处于短路状态(图1)，从而关闭DC FET。
图1. 共漏nFET短路DC FET的栅极
正常情况下，必须用共漏nFET以保证DS2784正常工作。DC引脚有一个弱驱动器，最坏情况下的电流为1µA。所有连接到DC栅极的路径上漏电流必须最小，否则会破坏电荷泵，从而造成保护FET关闭。同样，PK+路径的漏电流使IC不会从过流状态下恢复，除非连接到充电器。IC将通过检测PK+是否拉高以判断过流情况是否消除。这通过PLS端的小电流源来实现，其最坏情况下的电流为10µA。
