中央半导体GaN n沟道场效应管在高压和低r(DS(ON))方面表现出色，使其成为高效软开关应用的理想选择。中央半导体GaN场效应管有100V (60A)， 650V (11A)和650V (17A)版本。这些器件可用于实际的表面贴装、芯片级封装和裸晶片。
高压能力(650V)
低栅极电荷和r(DS(ON))(低至3.2毫欧)
高效、快速切换
节省空间的DFN和CSP
也可作为裸模
最小的功率损耗传导
高频开关能力
无反向回收损失
无线充电(大功率)
国防/航空航天
医疗保健
消费者
功率因数校正(PFC)
电动汽车逆变器
