SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET的介绍、特性、及应用

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SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET可与碳化硅肖特基二极管组合使用，以实现最佳性能，而无需与硅器件进行权衡。该MOSFET提供更低的开关损耗、更高的效率、更少的散热和更高的功率密度。GP2T020A120H MOSFET具有高速开关、更长的爬电距离、564W功耗、800mJ单脉冲雪崩能量等特点。该MOSFET非常适合从事电动汽车充电，工业控制和HVAC系统的设计人员。典型应用包括功率因数校正、DC-DC变换器一次开关和同步整流。

特性

• 高速开关

• 可靠体二极管

• 所有部件测试电压均大于1400V

• 用于栅极驱动的驱动器源引脚

• 低电容

• 更高的效率

• 更低的开关损耗

• 更长的爬电距离

规范

• 漏源电压1200V

• 564W功耗

• 800mJ单脉冲雪崩能量

• 0.8欧姆栅极输入电阻

• 3.6V二极管正向电压

• 工作温度范围-55℃~ 175℃

应用程序

• 太阳能逆变器

• 开关电源

• 不间断电源(ups)

• 感应加热和焊接

• 电动汽车充电站

• 高压DC/DC变换器

• 马达驱动器

Tj = -55°C