NTMFS6H858NL n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

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onsemi NTMFS6H858NL n沟道功率MOSFET采用5mm x 6mm平面引线封装，设计紧凑高效。该功率MOSFET具有低R(DS(on))，低Q(G)和电容以及逻辑级驱动能力。NTMFS6H858NL n沟道功率MOSFET工作在80V漏源电压，±20V栅源电压，-55°C至175°C工作结和存储温度范围。该功率MOSFET无铅且符合rohs标准。典型应用包括开关电源、电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器和h桥)、48V系统、电机控制、负载开关和DC/DC转换器。

特性

• 低R(DS(on))，最小化传导损耗

• 低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗

• Pb-免费

• 通过无铅认证

• 5mm x 6mm小占地紧凑的设计

规范

• 80V漏源电压

• ±20V栅源电压

• 100nA栅源泄漏电流

• 1.2V至2V门限电压范围

• -2.9mV/℃阈值温度系数

• 623pF输入电容

• 82pF输出电容

• 142A脉冲漏极电流

• 45S正向跨导

• -55°C至175°C工作结和存储温度范围

应用程序

• 开关电源

• 电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥)

• 48 v系统

• 电机控制

• 负荷开关

• 直流/直流转换器

典型特征图

尺寸图