onsemi MMUN2231L NPN双极数字晶体管的介绍、特性、及应用

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onsemi MMUN2231L NPN双极数字晶体管设计用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)由一个单晶体管和一个单片偏置网络组成。该BRT由两个电阻组成，一个串联基极电阻(2.2k欧姆)和一个基极-发射极电阻(2.2k欧姆)，并将它们集成到单个器件中。BRT减少了元件数量和电路板空间，简化了电路设计。该BRT通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。BRT不含铅和卤素/溴化阻燃剂，符合RoHS标准。典型应用包括反向电池保护，DC-DC转换器输出驱动和高速开关。

特性

• 简化电路设计

• 减少电路板空间

• 减少组件数量

• 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力

• 不含铅和卤素/BFR

• 通过无铅认证

规范

• 2.2k欧姆输入电阻

• 100mA(DC)集电极电流

• 10V(直流)输入反向电压

• 12V(DC)输入正向电压

• 50V(DC)集电极(V(CBO))和集电极-发射极(V(CEO))电压

应用程序

• 电池反保护

• DC-DC变换器输出驱动器

• 高速开关

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