onsemi NVBLS1D7N10MCTXG n沟道PowerTrench MOSFET的介绍、特性、及应用

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onsemi NVBLS1D7N10MCTXG n沟道PowerTrench MOSFET具有高热性能和低R(DS(on))，可最大限度地减少传导损耗。NVBLS1D7N10MCTXG通过AEC-Q101认证，具备PPAP功能，是汽车应用的理想选择。

NVBLS1D7N10MCTXG MOSFET采用TOLL封装，工作结和存储温度范围为-55°C至+175°C。

特性

• 低R(DS(on))，最小化传导损耗

• 低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗

• 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力

• 降低开关噪声/EMI

• 无铅，符合rohs标准

应用程序

• 开关电源

• 电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)

• 电池反保护

规范

• 265A最大连续漏极电流

• 1.8毫欧最大10V R(DS(ON))

• 100V漏源电压

• ±20V栅源电压

• 900A脉冲漏极电流

• -55°C至+175°C工作结和存储温度范围

典型的应用程序