ROHM半导体RQ3L060BG功率MOSFET的介绍、特性、及应用

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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源电压(V(DSS))和±15.a连续漏极电流。该n沟道MOSFET提供38毫欧低导通电阻(R(DS(on)))和14W的功耗。RQ3L060BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作结和存储温度范围内，采用无卤素，大功率小模具封装(HSMT8)。这款符合rohs标准的设备包含无铅电镀。典型应用包括开关、电机驱动和DC/DC转换器。

特性

• 低导通电阻

• 大功率小模具封装(HSMT8)

• 无铅电镀，符合rohs标准

• 无卤素

• 100% Rg和ui测试

规范

• 60V漏源电压(V(DSS))

• 门源电压(V(GSS))

• -55°C至150°C工作结和存储温度范围

• 38 毫欧R (DS(上)(最大)

• ±15.a连续漏极电流(I(D))

• 14W功耗

应用程序

• 切换

• 马达驱动器

• 直流/直流转换器

内部电路