Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n沟道mosfet的介绍、特性、及应用

元器件信息   2024-02-27 16:17   105   0  

BUK7Y1R0-40N    ;    BUK7Y3R1-80M     点击型号查看芯片规格书

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Nexperia BUK7Y1R0-40N;BUK7Y3R1-80M n沟道mosfet的设计和合格符合AEC-Q101要求,具有高性能和耐用性。这些mosfet提供快速高效的开关,具有最佳的阻尼和低尖峰。BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n沟道mosfet封装在LFPAK56封装中。BUK7Y1R0-40N n沟道MOSFET采用了Trench 15低欧姆增强型沟槽底氧化物(e-TBO)技术,而BUK7Y3R1-80M采用了Trench 14低欧姆分闸技术。这些n沟道mosfet符合欧盟rohs标准,最大结温范围为175°C。典型应用包括电机、照明和电磁控制、12V汽车系统和超高性能电源开关。


规范

  • 符合AEC-Q101(175°C额定值,适用于热要求苛刻的环境)

  • LFPAK鸥翼领先:

    • 高板级可靠性,吸收热循环过程中的机械应力

    • 视觉(AOI)焊接检查

  • LFPAK铜夹技术:

    • 提高可靠性,降低R(th)、R(DSon)和封装电感

    • 增加最大电流能力

    • 改善电流扩展

  • 欧盟通过无铅认证


应用程序

  • 12V汽车系统

  • 电机,照明和电磁控制

  • 超高性能功率开关



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