onsemi NTMFS005P03P8Z单p沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

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onsemi NTMFS005P03P8Z单p通道功率MOSFET是功率负载开关，电池管理和保护(反向电流，过压和反向负电压)的理想选择。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C结温范围内工作，提供-30V漏源电压，10V导通电阻2.7毫欧和164A漏源/待机电流。onsemi NTMFS005P03P8Z封装在5mm x 6mm SO8-FL封装中，采用先进的封装技术，节省空间并具有优异的导热性。

特性

• 超低R(DS(on))，提高系统效率

• 先进的封装技术，节省空间和优良的导热性

• 5mm x 6mm, SO8-FL封装

• 不含铅，不含卤素/ bfr，符合rohs标准

应用程序

• 保护

  • 反向电流

  • 过电压

  • 反向负电压

• 电力负载开关

• 电池管理

规范

• -30V最大漏源电压

• ±25V最大栅源电压

• -11A至-164A最大连续漏极电流范围

• 0.9W至104W的最大功耗范围

• -597A最大脉冲漏极电流

• -1.0µA最大零栅极电压漏极电流

• ±10µA最大栅源泄漏电流

• 165.8mJ最大单脉冲漏源雪崩能量

• 2.7毫欧至4.4毫欧最大漏源电阻范围

• 87S典型正向跨导

• 183nC典型总栅电荷

• 典型反向恢复时间为57ns

• 典型充电时间34ns

• 典型放电时间23ns

• 77nC典型反向回收装药

• 典型的电容

  • 7880 pf输入

  • 2630 pf输出

  • 2550pF反向传递

• 最大稳态热阻

  • 1.2°C / W junction-to-case

  • 40°C/W至137°C/W连接至环境范围

• -55℃~ +150℃工作结温范围