国产功率器件—东微半导体
电子技术
2024-07-04 10:58
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2014年，东微开始量产国产化超级结系列高压大功率MOSFET。
2016年，东微新能源汽车充电桩用核心功率器件芯片成功量产，并进入到充电桩核心芯片市场。同时原创结构SFG MOS实现量产，进入到新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。
2018 年，东微 GreenMOS 大功率超结MOSFET 在充电桩等高端应用中被采用。
2020年，东微推出 Tri-gate IGBT （TGBT）系列。
东微半导采用Fabess模式，产品包括高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET 和IGBT。
1）高压超级结MOSFET：是东微半导第一大产品线，营收占比超过70%，包含了通用系列、E 系列、S 系列、Z 系列、OSS系列，在售型号400+个，电压覆盖500V-900V，静态电流最高可到100A，最高工作频率达到2MHz以上，主要应用于工业领域的新能源汽车充电桩、车载充电器、5G 基站电源及通信电源和消费领域的 PC 电源、适配器等；
2）中低压屏蔽栅 MOSFET：是东微半导第二大产品线，营收占比超过20%，在售型号600+个，电压覆盖20V~200V，主要应用电机驱动、同步整流等领域中等；
①IGBT：采用具有独立知识产权的TGBT器件结构。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，在售型号60+个，电压覆盖600V~1350V，工作频率达到60-100KHz，可应用于工业领域的新能源汽车充电桩、变频器、逆变器等及消费领域的电磁加热等。
②SiC MOSFET：对标氮化镓功率器件的高性能硅基MOSFET产品。目前型号还比较少，主要应用于工业领域的新能源汽车充电桩、通信电源及消费领域的快充、TV 电源板等。
③Hybrid-FET 器件：兼具IGBT、超级结MOSFET等功率器件的优点，其工艺技术包括全新的器件结构及电流动态 调整技术，可实现高速关断和大电流处理能力，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性，目前逐步开始产业化。
转自-懂点技术的采购YJ
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