ROHM Semiconductor BD5230G-1TR CMOS电压检测器(复位)IC的介绍、特性、及应用

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ROHM Semiconductor BD5230G-1TR CMOS电压检测器(复位)IC具有高精度，超低电流消耗和轻量化设计。该电压检测器IC的延迟时间设置可以使用外部电容进行微调。BD5230G-1TR IC可用于0.9V至5V的特定检测电压范围，并可以0.1V的增量进行调节。在-40°C至85°C的整个工作温度范围内，时间延迟保持在±30%的精度。这款n通道开漏输出型电压检测器IC采用SSOP5封装，尺寸为2.90mm x 2.80mm x 1.25mm。典型的应用包括需要电压检测的消费类设备。

特性

• 纳米能量

• 由外部电容控制的延迟时间设置

• n通道开漏输出型

• 体积小，重量轻

规范

• 0.9V至5V典型(0.1V增量)检测电压范围

• 270nA典型超低电流消耗

• 2.90mm × 2.80mm × 1.25mm SSOP5封装

• ±30%(-40℃~ 85℃，CT引脚电容≥1nF)延时精度
  

应用程序

• 所有需要电压检测的消费类设备

框图

典型应用电路

物理维度