一、IBM率先研发MOS型RAM存储成功，开启半导体存储的历史
1966年， DRAM之父IBM的罗伯特·登纳德博士所在的IBM Thomas J. Watson 研发中心成功研发MOS型晶体管+电容结构的DRAM存储。
1969年加州的先进内存系统公司正式商业推出此款DRAM。
二、Intel一家独大，占据全球超80%份额
Intel利用MOS工艺开发出1kb DRAM，并通过解决各项生产工艺缺陷，于1970年在其3寸晶圆厂成功量产C1103，奠定了DRAM快速商业化的基础。
由于当时大中型计算机使用的磁鼓存储器笨重昂贵，Intel向计算机用户大力宣传DRAM，1972年凭借1K DRAM 取得巨大成功。到1974年，Intel的DRAM市场份额达82.9%。
三、DRAM快速商业化，Mostek开始成为霸主
1973年，美国其他厂商例如TI、Mostek(由TI的前员工于1969 年创立)、日本厂商NEC等先后进入DRAM市场，TI推出成本更低的4K DRAM，Mostek推出针脚更少的4K DRAM，成为Intel的强劲对手。
1976年，Mostek推出的MK4116采用了POLY-II（双层多晶硅栅工艺），容量达16K，大获成功，占领75%的DRAM 市场。而后继续持续推出新产品，进一步获得市场份额，在70年代后期，一度占据DRAM市场 85%份额。
但后来为应对来自资本市场的恶意收购，导致股权结构大幅变动，经营战略发生调整，管理层动荡及技术人员流失，公司发展遭遇较大障碍。1978年，四个Mostek的离职技术人员创立了另一个未来的存储巨头--镁光。
四、日本DRAM厂商后发先至，横扫美国市场，Intel含恨退出
1976年,日本VLSI联合研发体成立，设立了6个实验室，从高精度加工技术、硅结晶技术、工艺处理技术、监测评价技术、装置设计技术等方向入手，成功攻克了包括电子束光刻机、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备，以及领先的制程工艺和半导体设计能力。
在VLSI项目的推动下，日企1977年研制成功64K DRAM，已成功赶上美企DRAM研发进度。随后日本DRAM产业进入增长爆发期。
1983年日本DRAM内存在美国市场大获成功，当时主流提供256K内存公司中，日本企业有富士通、日立、三菱、NEC、东芝等多家，而美企仅有摩托罗拉，而仅NEC 九州工厂的256K DRAM月产量，就高达300万块。
1984年，日立生产的DRAM 内存已开始采用1.5um生产工艺，三菱甚至公开4M DRAM关键技术。
1986年，仅东芝一家，每月1M DRAM产量就超过 100 万块。
1980s年代中期，日本厂商的DRAM产品技术领先，产品质量更好而价格却更低，几乎横扫了美国市场。截至1986年，日本存储器产品的全球市场占有率上升至65%，而美国则降低至30%。1985年，陷入泥潭的Intel不得已宣布退出DRAM市场。
五、《广场协议》开启，日本DRAM性价比快速下降，韩国厂商乘机切入
1985年美国主导的《广场协议》开启了日元升值之路，美国半导体协会也发起了对日本半导体等产品的反倾销诉讼，而后达成了对日本半导体产品的价格监督协议。上述种种，直接导致日本DRAM产品价格大幅提升，产品性价比快速下降，这给了韩国半导体产业可乘之机。
1970年代中后期开始，韩国三星，LG、现代和大宇等财阀，通过购买、引进DRAM技术专利及加工设备，对其进行消化吸收并在此基础上持续投入研发，以追赶技术差距。
直到1980年代后期，家用PC电脑兴起，且产品换机时间大幅缩短为3-5年，普通消费者对价格敏感，而对使用寿命要求不高，且日本半导体产品受到美国压制，韩国 DRAM 产品才得以逐步扩大市场份额。
六、三星率先攻破技术壁垒，韩厂开始领导DRAM市场
1992年，三星率先攻破技术壁垒，推出世界第一个64M DRAM。此后，三星继续提高研发投入，到1996年又开发出第一个1GB DRAM。三星电子DRAM芯片出口额达到62亿美元，位居第一；现代电子居世界第三。
截至2000年，占DRAM份额前五的韩厂有两家，分别为三星和现代，其中三星占23.00%，位居第一；现代占19.36%，位居第三，韩厂领导DRAM市场。
七、三星、海力士、镁光三国鼎立
1999年，现代与LG合并，后从现代集团拆分改名海力士；镁光收购德州仪器内存部门。
2001年，三星、镁光、海力士、英飞凌占据市场8成份额。
2008年，因金融危机，英飞凌将内存部门拆分出去。
2011年，DRAM供应量再次供大于求，价格暴跌，奇梦达和尔必达先后宣布破产。至此，三星、海力士、镁光成为 DRAM 领域形成三国鼎立之势。
转自-懂点技术的采购YJ
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