AO3415点击型号即可查看芯片规格书
AO3415 中文资料规格参数
技术参数 | 极性 | P-CH |
耗散功率 | 1.5 W | |
漏源极电压(Vds) | 20 V | |
连续漏极电流(Ids) | 4A | |
输入电容(Ciss) | 1450pF @10V(Vds) | |
额定功率(Max) | 1.5 W | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 1.5W (Ta) | |
封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 | |
封装 | SOT-23-3 | |
外形尺寸 | 高度 | 1 mm |
封装 | SOT-23-3 | |
物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
其他 | 产品生命周期 | Active |
符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
海关信息 | 香港进出口证 | NLR |
AO3415 引脚图
AO3415 引脚图
产品概述
P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.035Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.3--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS (V) = -20V ID = -4 A RDS(ON) < 43mΩ (VGS = -4.5V) RDS(ON) < 54mΩ (VGS = -2.5V) RDS(ON) < 73mΩ (VGS = -1.8V) ESD Rating: 3000V HBM 描述与应用| VDS(V)=-20V ID=-4 A RDS(ON) <43MΩ(VGS=-4.5V) RDS(ON) <54MΩ(VGS=-2.5V) RDS(ON) <73mΩ(VGS=-1.8V) ESD额定值:3000V HBM