【AO3415 PDF数据手册】_中文资料_(万代半导体 Alpha & Omega Semiconductor)

元器件信息   2022-11-04 16:37   298   0  

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AO3415 中文资料规格参数


技术参数

极性

P-CH

耗散功率

1.5 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

4A

输入电容(Ciss)

1450pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.5 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5W (Ta)

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

3

封装

SOT-23-3

外形尺寸

高度

1 mm

封装

SOT-23-3

物理参数

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他

产品生命周期

Active

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

海关信息

香港进出口证

NLR


AO3415 引脚图


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AO3415 引脚图


产品概述


P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.035Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.3--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS (V) = -20V ID = -4 A RDS(ON) < 43mΩ (VGS = -4.5V) RDS(ON) < 54mΩ (VGS = -2.5V) RDS(ON) < 73mΩ (VGS = -1.8V) ESD Rating: 3000V HBM 描述与应用| VDS(V)=-20V ID=-4 A RDS(ON) <43MΩ(VGS=-4.5V) RDS(ON) <54MΩ(VGS=-2.5V) RDS(ON) <73mΩ(VGS=-1.8V) ESD额定值:3000V HBM

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