TPS1100PWR 点击型号即可查看芯片规格书
TPS1100PWR是单P沟道增强型MOSFET。该器件已通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺针对电池供电系统中的3V或5V配电进行了优化。凭借-1.5V的最大VGS(th)和仅为0.5uA的IDSS,TPS1100PWR是低压便携式电池管理系统的理想高边开关,其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。低rDS(on)和出色的交流特性(典型上升时间为10ns)使TPS1100PWR成为低压开关应用的合理选择,例如用于脉宽调制(PWM)控制器或电机/桥驱动器的电源开关。超薄薄型收缩小外形封装或TSSOP(PW)版本具有更小的占位面积和更低的高度,适用于其他P沟道MOSFET无法做到的地方。在电路板空间非常宝贵且高度限制不允许小外形集成电路(SOIC)封装的情况下,尺寸优势尤其重要。
制造商 | 德州仪器 |
制造商产品编号 | TPS1100PWR |
供应商 | 德州仪器 |
描述 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP |
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 15 V 1.27A(Ta) 504mW(Ta) 8-TSSOP |
类别 | 分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-单个 |
工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm宽) |
基本产品编号 | TPS1100 |
TPS1100PWR
零件状态 | 在售 |
FET类型 | P通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 15伏 |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.27A(Ta) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.7V,10V |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 180毫欧@1.5A,10V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.5V@250µA |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 5.45nC@10V |
Vgs(最大值) | +2V,-15V |
功率耗散(最大值) | 504mW(Ta) |
箱/包 | TSSOP |
引脚数 | 8 |
连续漏极电流(ID) | 1.27安 |
目前评级 | -1.27mA |
漏源击穿电压 | -15伏 |
漏源电阻 | 180毫欧 |
漏源电压(Vdss) | 15伏 |
栅源电压(Vgs) | 2伏 |
最高工作温度 | 125℃ |
最大功耗 | 504兆瓦 |
最低工作温度 | -40℃ |
元素数 | 1 |
打包 | 卷带 |
功耗 | 504兆瓦 |
最大Rds | 180毫欧 |
上升时间 | 10纳秒 |
关断延迟时间 | 13纳秒 |
开启延迟时间 | 4.5纳秒 |
额定电压(直流) | -15伏 |
高度 | 1.2毫米 |
长度 | 3毫米 |
厚度 | 1毫米 |
宽度 | 4.4毫米 |
属性 | 描述 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
REACH状态 | 非REACH产品 |
无铅 | 无铅 |
辐射硬化 | 不 |
低rDS(on)VGS=-10V时为0.18典型值
3V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
VGS(th)=-1.5V最大值
提供超薄TSSOP封装(PW)
ESD保护高达2kV,符合MIL-STD-883C,方法3015
笔记本电脑
个人数字助理(PDA)
蜂窝电话
PCMCIA卡
TPS1100PWR 3D模型
TPS1100PWR封装
型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
TPS1100PW | 德州仪器 | MOS管 | TSSOP P-Channel -15V 1.27A |
TPS1100PWG4 | 德州仪器 | MOS管 | TSSOP P-Channel 15V 1.27A |
TPS1100PWRG4 | 德州仪器 | MOS管 | TSSOP P-Channel 15V 1.27A |
德州仪器(英语:Texas Instruments, TI)是一家位于美国德克萨斯州达拉斯的跨国公司,以开发、制造、销售半导体和计算器技术闻名于世,主要从事数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。它在25个国家有制造、设计或者销售机构。德州仪器是世界第三大半导体制造商,仅次于英特尔,三星;是移动电话的第二大芯片供应商,仅次于高通;同时也是在世界范围内的第一大数字信号处理器(DSP)和模拟半导体组件的制造商,其产品还包括计算器、微控制器以及多核处理器。德州仪器居世界半导体公司20强。