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CSD16322Q5 中文资料规格参数
| 技术参数 | 通道数 | 1 |
针脚数 | 8 | |
漏源极电阻 | 0.0039 Ω | |
极性 | N-Channel | |
耗散功率 | 3.1 W | |
阈值电压 | 1.1 V | |
漏源极电压(Vds) | 25 V | |
漏源击穿电压 | 25 V | |
连续漏极电流(Ids) | 97.0 A | |
上升时间 | 10.7 ns | |
输入电容(Ciss) | 1365pF @12.5V(Vds) | |
额定功率(Max) | 3.1 W | |
下降时间 | 3.7 ns | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 3.1W (Ta) | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | VSON-Clip-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 6.1 mm |
宽度 | 5 mm | |
高度 | 1.05 mm | |
封装 | VSON-Clip-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | 正在供货 |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC标准 | No SVHC | |
REACH SVHC版本 | 2015/06/15 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
CSD16322Q5 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
CSD16322Q5 引脚图
CSD16322Q5 封装图
CSD16322Q5 封装焊盘图
产品概述
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
### MOSFET晶体管，Texas Instruments
得捷:MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
德州仪器(TI):25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm
立创商城:CSD16322Q5
欧时:Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16322Q5, 97 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
贸泽:MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
e络盟:TEXAS INSTRUMENTS CSD16322Q5 晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 25 V, 0.0039 ohm, 4.5 V, 1.1 V
艾睿:Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
安富利:Trans MOSFET N-CH 25V 97A 8-Pin SON T/R
Chip1Stop:Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON T/R
Verical:Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Newark:# TEXAS INSTRUMENTS CSD16322Q5 MOSFET Transistor, N Channel, 97 A, 25 V, 0.0039 ohm, 4.5 V, 1.1 V
Win Source:MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
