CSD17522Q5A点击型号即可查看芯片规格书
CSD17522Q5A 中文资料规格参数
技术参数 | 通道数 | 1 |
极性 | N-CH | |
耗散功率 | 3 W | |
阈值电压 | 1.6 V | |
漏源极电压(Vds) | 30 V | |
连续漏极电流(Ids) | 16A | |
上升时间 | 12 ns | |
输入电容(Ciss) | 695pF @15V(Vds) | |
下降时间 | 3.7 ns | |
耗散功率(Max) | 3W (Ta) | |
封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | VSON-8 | |
外形尺寸 | 宽度 | 4.9 mm |
封装 | VSON-8 | |
物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
其他 | 产品生命周期 | 正在供货 |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
符合标准 | RoHS标准 | Non-Compliant |
含铅标准 | Contains Lead |
CSD17522Q5A 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
CSD17522Q5A 引脚图
CSD17522Q5A 封装图
CSD17522Q5A 封装焊盘图
产品概述
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
.针对 5V 栅极驱动而优化
.超低 Qg 和 Qgd
.低热阻
.雪崩额定
.无铅终端镀层
.符合 RoHS 标准
.无卤素
.SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装