【CSD17522Q5A PDF数据手册】_中文资料_(德州仪器 TI)

元器件信息   2022-11-11 09:13   237   0  

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CSD17522Q5A 中文资料规格参数


技术参数

通道数

1

极性

N-CH

耗散功率

3 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

16A

上升时间

12 ns

输入电容(Ciss)

695pF @15V(Vds)

下降时间

3.7 ns

耗散功率(Max)

3W (Ta)

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

8

封装

VSON-8

外形尺寸

宽度

4.9 mm

封装

VSON-8

物理参数

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他

产品生命周期

正在供货

包装方式

Tape & Reel (TR)

符合标准

RoHS标准

Non-Compliant

含铅标准

Contains Lead


CSD17522Q5A 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图


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CSD17522Q5A 引脚图


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CSD17522Q5A 封装图


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CSD17522Q5A 封装焊盘图


产品概述


30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。

.针对 5V 栅极驱动而优化

.超低 Qg 和 Qgd

.低热阻

.雪崩额定

.无铅终端镀层

.符合 RoHS 标准

.无卤素

.SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装

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