IRS2108SPBF点击型号即可查看芯片规格书
IRS2108SPBF 中文资料规格参数
| 技术参数 | 额定功率 | 625 mW |
上升/下降时间 | 100ns, 35ns | |
输出接口数 | 2 | |
输出电压 | 600 V | |
输出电流 | 290.600 mA | |
通道数 | 2 | |
针脚数 | 8 | |
耗散功率 | 625 mW | |
上升时间 | 100 ns | |
下降时间 | 35 ns | |
下降时间(Max) | 80 ns | |
上升时间(Max) | 220 ns | |
工作温度(Max) | 125 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
耗散功率(Max) | 625 mW | |
电源电压 | 10V ~ 20V | |
电源电压(Max) | 20 V | |
电源电压(Min) | 10 V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | SOIC-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm | |
高度 | 1.5 mm | |
封装 | SOIC-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube | |
制造应用 | 电源管理, Power Management | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
IRS2108SPBF 电路图
IRS2108SPBF 电路图
产品概述
INFINEON IRS2108SPBF. 芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用半桥配置。
得捷:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
立创商城:半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
欧时:Infineon IRS2108SPBF 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.6A, 10 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装
贸泽:Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 10V to 20V
e络盟:芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
艾睿:Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
安富利:Power MOSFET and IGBT Driver, 1/2 Bridge, 600V, 8-pin SOIC, Tube
Chip1Stop:Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
TME:Driver; high-/low-side switch, gate driver; -600÷290mA; 625mW
Newark:# INFINEON IRS2108SPBF. IC, MOSFET DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC
