IR21094STRPBF点击型号即可查看芯片规格书
IR21094STRPBF 中文资料规格参数
技术参数 | 上升/下降时间 | 150ns, 50ns |
输出接口数 | 2 | |
输出电压 | 10V ~ 20V | |
输出电流 | 200 mA | |
耗散功率 | 1 W | |
静态电流 | 1.6 mA | |
上升时间 | 150 ns | |
下降时间 | 50 ns | |
下降时间(Max) | 80 ns | |
上升时间(Max) | 220 ns | |
工作温度(Max) | 125 ℃ | |
工作温度(Min) | -40 ℃ | |
耗散功率(Max) | 1000 mW | |
电源电压 | 10V ~ 20V | |
电源电压(Max) | 20 V | |
电源电压(Min) | 10 V | |
封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 14 | |
封装 | SOIC-14 | |
外形尺寸 | 长度 | 8.74 mm |
宽度 | 3.99 mm | |
高度 | 1.5 mm | |
封装 | SOIC-14 | |
物理参数 | 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
IR21094STRPBF 电路图
IR21094STRPBF 电路图
产品概述
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
.Floating channel designed for bootstrap operation
.Fully operational to +600 V
.Tolerant to negative transient voltage
.dV/dt immune
.Gate drive supply range from 10 to 20 V
.Undervoltage lockout for both channels
.3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible
.Cross-conduction prevention logic
.Matched propagation delay for both channels
.High side output in phase with IN input
.Logic and power ground + /- 5 V offset
.Internal 540ns dead-time, and programmable up to 5µs with one external RDT resistor
.Lower di/dt gate driver for better noise immunity
.Shut down input turns off both channels