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IRFH9310TRPBF 中文资料规格参数
| 技术参数 | 额定功率 | 3.1 W |
通道数 | 1 | |
针脚数 | 8 | |
漏源极电阻 | 0.0037 Ω | |
极性 | P-Channel | |
耗散功率 | 3.1 W | |
阈值电压 | 1.9 V | |
漏源极电压(Vds) | 30 V | |
连续漏极电流(Ids) | 21A | |
上升时间 | 47 ns | |
输入电容(Ciss) | 5250pF @15V(Vds) | |
额定功率(Max) | 3.1 W | |
下降时间 | 70 ns | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 3.1W (Ta) | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | PowerVDFN-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 6 mm |
宽度 | 5 mm | |
高度 | 0.95 mm | |
封装 | PowerVDFN-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | 无铅 | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 |
IRFH9310TRPBF 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图
IRFH9310TRPBF 引脚图
IRFH9310TRPBF 封装图
IRFH9310TRPBF 封装焊盘图
产品概述
30V,4.6mΩ,-21A,P沟道功率MOSFET
P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
