BSC028N06NS点击型号即可查看芯片规格书
BSC028N06NS 中文资料规格参数
| 技术参数 | 针脚数 | 8 |
漏源极电阻 | 0.0025 Ω | |
极性 | N-Channel | |
耗散功率 | 83 W | |
阈值电压 | 2.8 V | |
漏源极电压(Vds) | 60 V | |
连续漏极电流(Ids) | 100A | |
上升时间 | 38 ns | |
输入电容(Ciss) | 2700pF @30V(Vds) | |
额定功率(Max) | 2.5 W | |
下降时间 | 8 ns | |
工作温度(Max) | 150 ℃ | |
工作温度(Min) | -55 ℃ | |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 | |
封装 | PG-TDSON-8 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 5.9 mm |
宽度 | 5.15 mm | |
高度 | 1.27 mm | |
封装 | PG-TDSON-8 | |
| 物理参数 | 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
制造应用 | Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
REACH SVHC标准 | No SVHC | |
REACH SVHC版本 | 2015/12/17 | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
BSC028N06NS 引脚图 | 封装焊盘图
BSC028N06NS 引脚图
BSC028N06NS 封装焊盘图
产品概述
INFINEON BSC028N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
InfineonOptiMOS™5 功率 MOSFET
立创商城:N沟道 60V 23A
得捷:MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
欧时:### Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET
### MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
e络盟:# INFINEON BSC028N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
艾睿:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R
Chip1Stop:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP
Verical:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
儒卓力:**N-CH 60V 100A 2.8mOhm SON-8 **
力源芯城:60V,100A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
