ROHM N沟道SiC功率MOSFET

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ROHM N沟道SiC功率MOSFET在开关时不会产生尾电流，因此动作较快并能减少开关损耗。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保电容和栅极电荷较低。与导通电阻在温度变化时可以提高2倍以上的标准硅器件相比，SiC MOSFET导通电阻的变化较小，并且封装尺寸更小，更节能。该MOSFET通常用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热及电机驱动器。

特性

·低导通电阻

·开关速度快

·快速反向恢复

·易于并行工作

·易于驱动

·无铅引脚电镀，并符合RoHS标准

应用

·太阳能逆变器

·DC/DC转换器

·辅助电源

·开关电源

·感应加热

·电机驱动器

MOS管在电路中的应用：pwm驱动mos管电路图

当光耦有pwm驱动mos管开关电路PWM信号输入时，光耦发光二极管导通，触发光电晶体管也导通。电源经电阻R1，光电晶体管的CE极，电阻R3分压使NMOS IRF540N的栅极为高电平，触发MOS管导通。