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特征
用于同步整流的双MOSFET驱动器
转换器
快速外部MOSFET的高驱动电流
切换
集成自举二极管
高频操作
启用引脚
自适应死区管理
柔性门驱动器：5 V至12 V兼容
输出的高阻抗（HiZ）管理
阶段停堆
初步OV保护
SO-8和DFN10 3x3包
应用
台式机/服务器用大电流VRM/VRD/工作站CPU
大电流、高效率DC/DC转换器
说明
L6743、L6743Q是一款灵活的高频双驱动器，专门设计用于驱动N通道同步整流mosfet巴克拓扑。结合ST PWM控制器，驱动器允许实施完整的电压调节器现代大电流CPU和DCDC转换一般。L6743、L6743Q为两个高压侧嵌入大电流驱动器以及低边MOSFET。设备接受灵活的电源（5 V至12 V）可优化高压侧和低压侧的栅极驱动电压最大化系统效率。内置自举二极管，节省使用外部二极管。反射穿管理避免了高的一面和低的一面MOSFET同时传导，结合自适应死区控制，最小化LS体二极管传导时间。L6743、L6743Q嵌入初步OV保护：在Vcc克服UVLO和当器件在HiZ中时，LS-MOSFET是打开以保护负载以防输出电压克服警告阈值保护针对HS故障的输出。可用的驱动程序为SO-8和DFN10 3x3包装
电气特性
表5。电气特性
（VCC=12 V±15%，TJ=0°C至70°C，除非另有规定）
设备说明和操作
L6743、L6743Q为高压侧和低压侧提供大电流驱动控制N沟道mosfet作为外部驱动的降压DC-DC变换器连接PWM信号。集成的大电流驱动器允许使用不同类型的电源MOSFET（也是多个MOS以减少等效的RDS（on）），保持快速开关过渡。高压侧MOSFET的驱动器使用启动引脚供电，相位引脚用于返回。低侧MOSFET的驱动器使用VCC引脚供电，PGND引脚用于返回。该驱动器采用了反击穿和自适应死区控制，以尽量减少低侧体二极管的传导时间，保持良好的效率，节省了肖特基的使用
二极管：当高压侧MOSFET关闭时，其源电压开始下降；何时电压达到2v左右时，突然施加低压MOSFET栅极驱动电压。当低侧MOSFET关闭时，检测LGATE引脚上的电压。当它掉下来的时候在大约1v以下，高压侧MOSFET栅极驱动电压突然被施加。如果电感器中的电流为负，高侧MOSFET的源永远不会下降。即使在这种情况下，为了允许低侧MOSFET导通，
看门狗控制器启用：如果高侧MOSFET的源没有下降，那么低侧MOSFET是打开，使感应器的负电流再循环。这个机制即使电流为负，也允许系统进行调节。在VCC克服UVLO阈值之前，L6743、L6743Q始终牢牢关闭高侧和低压侧MOSFET，然后，在UVLO被越过之后，EN和PWM输入控制驾驶员的操作。EN pin启用驱动程序：如果低将保持所有MOSFET关闭（HiZ），与PWM状态无关。当EN为高电平时，PWM输入
接受控制：如果保持浮动，内部电阻分压器设置HiZ状态：两者MOSFET在PWM转换之前一直处于关闭状态。在UVLO穿越后和在HiZ时，初步的OV保护被激活：如果电压感应通过相位引脚克服约1.8伏，低侧MOSFET是锁紧，以保护负载免受危险的过电压。驱动程序状态为从PWM转换复位。
驱动电源以及电源转换输入灵活：5V和12V均可选择高边和低边MOSFET电压驱动。
高阻抗（HiZ）管理
驱动器能够通过保持所有mosfet处于关闭状态来管理高阻抗状态两种不同的方式。
如果EN信号被拉低，装置将保持所有MOSFET关闭，忽略PWM状态。
当EN被断言时，如果PWM信号在HiZ窗口中保持较长时间
在等待时间之外，设备检测到HiZ状态，因此关闭所有莫斯费茨。HiZ窗口定义为包含在VPWM_IL和VPWM_IH。只有在PWM转换到逻辑零（VPWM）后，设备才从HiZ状态退出<VPWM_-IL）。有关HiZ计时的详细信息，请参见图4。高阻抗状态的实现允许将要连接的控制器给驱动器管理其输出的高阻抗状态，避免产生负极在关闭阶段调节电压不足。而且，不同可以管理电源管理状态，例如预偏压启动。
初步OV保护
在VCC克服其UVLO阈值后，在HiZ中，L6743、L6743Q激活初步OV保护。这种保护的目的是保护负载，尤其是高侧MOSFET故障在系统启动期间。事实上，VRM，以及更一般的PWM控制器，有一个12伏总线兼容开启阈值，如果VCC低于该开启阈值（结果在约10 V范围内），则不工作。如果是高侧MOSFET如果出现故障，控制器在VCC=~10 V之前不会识别过电压（除非其他特殊功能实现）：但在这种情况下，输出电压已经是相同的电压（~10V）和负载（大多数情况下是CPU）已经烧毁。L6743、L6743Q通过锁定低压侧MOSFET旁路PWM控制器在HiZ状态下，相pin电压超过2v。当PWM输入退出窗体时HiZ窗口，保护复位，输出电压控制转移至控制器连接到PWM输入。因为驱动程序有自己的UVLO阈值，一种简单的方法来为当设备关闭时，所有条件下的输出包括通过5 VSB总线：5 VSB始终出现在任何其他电压之前，并且，如果是高压侧总之，低侧MOSFET驱动5v，确保负载的可靠保护。初步OV在UVLO之后激活，当驾驶员处于HiZ状态且被禁用时在第一次PWM转换后。控制器必须管理它的输出电压时间到了。
内部启动二极管
L6743，L6743Q嵌入一个启动二极管，为高压侧驱动器供电，节省了使用外部组件。只需在启动和相位之间连接一个外部电容器完成高压侧电源连接。为了防止自举电容器因大的负尖峰而产生额外的电荷，串联至时可能需要外部串联电阻RBOOT（在几欧姆范围内）后备箱销。需要设计自举电容器，以显示由于高侧MOSFET开启。事实上，它必须给高压侧驱动器提供稳定的电压供应在MOSFET的开启过程中，还可以最大限度地减少嵌入式启动所消耗的功率二极管。图5给出了一些关于如何为根据所需放电和选择的MOSFET引导。
功率损耗
L6743，L6743Q为高侧和低侧MOSFET嵌入了高电流驱动器：是的然后重要的是要考虑设备在驱动它们的过程中所消耗的能量以避免克服最高结工作温度。影响器件功耗的主要因素有两个：偏置功率和驱动器功率。
装置（PDC）的功耗取决于装置的静态功耗提供引脚，可简单量化如下：
司机电源是指司机连续开关所需的电能外部mosfet，它是开关频率和总栅电荷的函数所选的MOSFET。考虑到总功率PSW可以量化开关损耗的mosfet主要有三个因素：外栅极电阻（如果存在）、本征MOSFET电阻和本征驱动器电阻。最后一项是计算器件功率需要确定的重要项消散。
开关MOSFET所消耗的总功率结果：PDC VCC ICC VPVCC IPVCC=⋅PSW F=SW⋅QGHS⋅PVCC+QGLS
在设计基于L6743、L6743Q的应用程序时，建议考虑考虑外部栅极电阻对驱动器消耗功率的影响。外部栅极电阻有助于器件耗散开关功率，因为功率PSW将在内部驱动器阻抗和外部电阻器之间共享导致设备普遍冷却。参考图6，典型的MOSFET驱动器可以用推挽输出来表示采用两种不同的MOSFET级：P-MOSFET驱动外栅极高，N MOSFET驱动外栅极低（使用自己的RD（on）：Rhi峎HS、Rlo峎HS、Rhi峎LS，跑道）。在这种情况下，外部功率MOSFET可以用电容来表示（CG_-HS，CG-LS）存储外部电源所需的栅极电荷（QG-HS，QG-uls）MOSFET达到驱动电压（HS为PVCC，LS为VCC）。这个电容是以驱动器开关频率FSW充放电。总功率Psw在沿行驶路径。根据外栅电阻和功率MOSFET的本征特性栅极电阻，驱动器仅耗散Psw的一部分，如下所示：
布局指南
L6743、L6743Q提供驱动能力，以实现大电流降压DC-DC转换器。为这些应用程序放置组件时的第一个优先级必须保留给电源部分，尽可能减少每个连接和回路的长度。到尽量减少噪音和电压尖峰（也包括EMI和损耗）电源连接必须是一部分一个电源平面和无论如何实现了宽厚的铜痕迹：环路必须无论如何最小化。关键部件，如功率mosfet，必须靠近其他。然而，功率MOSFET之间仍然需要一些空间来保证良好的性能热冷却和气流。驱动器和MOSFET之间的轨迹应短而宽，以尽量减少使驱动信号中的振铃最小化的轨迹电感。此外，通孔也很重要需要最小化以减少相关寄生效应。建议使用多层印刷电路板。小信号组件和连接到应用程序的关键节点以及设备电源的旁路电容器也很重要。找到旁路电容器（VCC、PVCC和BOOT电容器）靠近设备，回路尽可能短使用宽铜线来最小化寄生电感。不使用肖特基二极管与低边MOSFET并联的系统可能会显示出相位针上有大的负尖峰。这个尖峰和正尖峰一样是有限的但是还有一个额外的后果：它会导致自举电容器过度充电。在最大输入电压和在特定的瞬态过程中，启动到相电压克服了绝对最大额定值也导致设备故障。在这种情况下，建议通过增加一个小电阻串联到启动电容器。使用RBOOT也有助于启动引脚上的峰值限制。为了散热，将铜片放在IC下面。该铜区可以连接内部铜层通过几个通孔来提高导热性。这个驱动器下的铜垫、铜平面和过孔的组合允许设备达到最佳热性能。
