L6598点击型号即可查看芯片规格书
特征
高达600 V的高压轨
dV/dt抗扰度±50 V/ns（全温）
范围
驱动器电流能力：250 mA电源
450毫安水槽
切换时间80/40 ns上升/下降，负载为1 nF
CMOS关闭输入
欠压锁定
软启动移频定时
闭环控制感应运算放大器或
保护特性
高精度电流控制振荡器
集成自举二极管
夹持Vs
提供DIP16和SO16包
说明
L6598设备由BCD公司™ 离线技术，能够保证电压额定电压高达600伏，非常适合AC/DC适配器和任何共振拓扑结构是有益的。设备是预定的驱动两个功率mosfet，在经典的一半网桥拓扑。专用定时部分允许设计师设置软启动时间、软启动和最小频率。一个误差放大器有两个启用输入，可用。在此外，集成的自举二极管和齐纳钳位在低压电源上，降低到至少需要应用。
电气特性
VS=12 V；VBOOT-VOUT=12 V；TA=25°C
方块图说明
高/低侧驾驶部分
高侧和低侧驱动部分为外部功率MOS或IGBT。高的汇/源驱动电流（450/250毫安典型值）也确保了快速切换时间当使用功率MOS尺寸时。内部逻辑确保最短的死区时间避免电源设备的交叉传导。
定时和振荡器部分
该装置具有软启动功能。它包括一段时间，TSS，其中开关频率从fstart移到fmin。下面将对该功能进行说明说明（参见图6和图7）。
在软启动期间，电流ISS给电容器CSS充电，产生电压传输到跨导放大器的斜坡，如图6所示。就这样电压信号被转换成一个不断增长的电流减去Ifstart。因此在软启动期间驱动振荡器设置频率的电流等于：
在启动（t=0）时，振荡器频率通过以下方式设置：
在软启动（t=TSS）结束时，公式1的第二项减小到零，并且开关频率仅由Imin（即Rfmin）设置：
由于方程1的第二项等于零，我们得到：
注意，软启动时，CSS上没有固定的电压阈值完成（即移频结束），TSS取决于CSS、Ifstart、gm和ISS（方程式5）。使TSS独立于Ifstart，ISS电流设计为只是Ifstart的一小部分，所以：
这样，软启动时间只取决于电容器CSS。kSS的典型值常数（软启动定时常数）为0.15 s/（F）。电流Iosc被送入振荡器，如图7所示。它有两次镜像（x4和x8）在振荡器电容器Cf上产生三角波指的是内部振荡器的结构（图7），一个很好的关系来计算一个近似值正常工作时的振荡器频率为：
引导段
高压部分的电源通过自举电路获得。这个解决方案通常需要一个高压快速恢复二极管充电的引导电容器（图13-a部分）。在这个装置中，一个专利的集成结构取代了这个外部二极管。它通过高压DMO释放，与低压侧驱动器（LVG），带有串联a二极管，如图13-b部分所示。
为了驱动同步DMO，需要一个高于电源电压的电压Vs.该电压通过内部电荷泵获得（图13-b部分）。二极管串联连接到DMOS已经被添加，以避免意外的开启它。二极管的引入防止任何电流从Vboot引脚流向VS当泵的内部电容器未完全放电。自举驱动器在电容器Cboot充电期间引入电压降（即，当低压侧驱动器打开时），它会随着频率和外部功率MOS。它是RDSON和二极管上的压降之和
阈值电压。在低频时，这种下降很小，可以忽略不计。不管怎样增加频率必须加以考虑。事实上，下降，减少驱动信号的幅值，可以显著提高外接电源的RDSON值MOS（以及耗散）。在谐振电源中，电流流过功率MOS随着开关频率的增加，开关频率降低，而RDSON的增加通常不会增加因为功耗可以忽略不计。公式8对计算落差很有用在引导驱动程序上：
其中Qg是外部功率MOS的栅电荷，Rdson是bootstrap DMOS，而Tcharge是引导驱动程序保持打开的时间（大约开关频率的半周期减去死区时间）。典型的电阻值引导式DMO为150。例如，使用总栅电荷为在开关频率为200kHz时，引导驱动器上的电压降约为3V。在事实：
总的来说，如果引导驱动器上的显著下降（在高开关频率时大功率MOS被使用）代表一个问题，可以使用外部二极管，避免在车管所的RDSON上。
运算放大器部分
集成运算放大器的设计提供低输出阻抗，宽带，高输入阻抗和宽共模范围。它可以很容易地用于实施保护特性或闭环控制。为此，运算放大器输出可以正确接Rfmin引脚调节振荡频率
比较器
两个CMOS比较器可用于执行保护方案。可识别比较器输入上的短脉冲（≥200ns）。EN1输入（高电平有效），阈值为0.6 V（典型值）时，会强制设备处于锁定关闭状态（例如LVG低，HVG低，振荡器停止），如在欠电压条件下。正常在断电-通电顺序后恢复工作条件。EN2输入（高电平有效），阈值为1.2 V（典型值）时，重新启动软启动程序（请参阅图3、图4和图5中的时序图）。另外EN2比较器，当激活，移除由EN1引起的锁定关闭
