LF198点击型号即可查看芯片规格书
一般说明
LF198/LF298/LF398为整体式样品利用BI-FET技术获得超高具有快速信号采集和低下垂的直流精度速率。作为单位增益跟随器，直流增益精度为典型值为0.002%，采集时间低至6μs0.01%。双极输入级用于实现低偏移电压和宽带。输入偏移调整由一个引脚实现，不会降低输入偏移漂移。宽频带允许LF198包含在1MHz运算放大器的反馈回路中，而不会出现稳定性问题。输入阻抗1010Ω允许高在不降低精度的情况下使用源阻抗。P沟道结FET与双极器件相结合在输出放大器中提供低至5毫伏/分钟的下垂率使用1μF保持电容器。JFET的要低得多噪声比以前设计中使用的MOS器件还要大不表现出高温不稳定性。总体设计保证在保持状态下，从输入到输出不存在馈通模式，即使输入信号等于电源电压。
特征
在±5V至±18V电源范围内工作
小于10μs采集时间
TTL，PMOS，CMOS兼容逻辑输入
0.5 mV，Ch=0.01μF时的典型保持步骤
低输入偏移
精度增益002%
保持模式下的低输出噪声
输入特性在保持模式期间不改变
采样或保持中的高电源抑制比
宽带宽
空间合格，JM38510LF198上的逻辑输入与低输入完全不同电流，允许直接连接到TTL、PMO和CMOS。差分阈值为1.4V。LF198将工作从±5V到±18V电源。“A”型可用于紧固电气规范。
绝对最大额定值（注1）
电源电压±18V
功耗（封装限制）（注2）500兆瓦
工作环境温度范围
LF198/LF198A−55˚C至+125˚C
LF298−25˚C至+85˚C
LF398/LF398A 0˚C至+70˚C
储存温度范围−65˚C至+150˚C
输入电压等于电源电压
逻辑到逻辑参考
−7V（注3）差电压
输出短路持续时间不确定
保持电容器短路
电路持续时间10秒
铅温度（注4）
H封装（焊接，10秒）260˚C
N封装（焊接，10秒）260˚C
M套餐：
气相（60秒）215˚C
红外线（15秒）220˚C
热阻（θJA）（典型值）
H包215˚C/W（在静止空气中安装板）
85˚C/W（板安装400LF/min空气流量）
N包装115˚C/W
M包106˚C/W
θJC（H包，典型）20˚C/W
电气特性
以下技术规格适用于−VS+3.5V≤VIN≤+VS−3.5V，+VS=+15V，−VS=−15V，TA=Tj=25˚C，Ch=0.01μF，RL=10 kΩ，逻辑参考=0V，逻辑高=2.5V，逻辑低=0V，除非另有规定。
电气特性
以下技术规格适用于−VS+3.5V≤VIN≤+VS−3.5V，+VS=+15V，−VS=−15V，TA=Tj=25˚C，Ch=0.01μF，RL=10 kΩ，逻辑参考=0V，逻辑高=2.5V，逻辑低=0V，除非另有规定。
注1：“绝对最大额定值”表示设备可能发生损坏的极限值。工作额定值表示设备的工作条件功能性的，但不保证特定的性能限制。
注2：最大功耗必须在高温下降低，并由TJMAXθJA和环境温度TA决定。最大值任何温度下的允许功耗为PD=（TJMAX−TA）/θJA，或绝对最大额定值中给出的数值，以较低者为准。最大值LF198/LF198A的结温TJMAX为150℃；LF298为115℃；LF398/LF398A为100℃。
注3：尽管差分电压可能不超过给定的限值，但逻辑管脚上的共模电压可能等于造成电路损坏。然而，为了正确的逻辑操作，其中一个逻辑引脚必须始终低于正电源至少2V，高于负电源至少3V。
注4：有关焊接表面贴装装置的其他方法，见AN-450“表面安装方法及其对产品可靠性的影响”。
注5：在±5至±18V的电源电压范围内，以及在−VS+3.5V≤VIN≤+VS−3.5V的输入范围内，这些参数得到保证。
注6：保持步进对输入逻辑信号和保持电容之间的寄生电容耦合敏感。例如，1 pF将产生额外的0.5 mV阶跃具有5V逻辑摆幅和0.01μF保持电容器。保持阶跃的大小和保持电容值成反比。
注7：泄漏电流是在25°C的结温下测量的。由于功率损耗或升高的环境温度，结温升高的影响可以芯片温度每升高11摄氏度，将25摄氏度数值加倍计算。在整个输入信号范围内保证泄漏。
注8：可根据要求提供军用RETS电气测试规范。LF198也可根据标准军用图纸#5962-8760801GA或MIL-STD-38510零件ID JM38510/12501SGA。
典型性能特征
典型性能特征（续）
程序提示
保持电容器
保持步长、采集时间和下降率是主要因素选择保持电容值时的权衡。尺寸和成本对于更大的价值也可能变得重要。使用本数据表中的曲线有助于选择合理的电容值。请记住对于快速重复频率或跟踪快速信号，电容器驱动电流可能导致LF198。一个重要的误差来源在一个准确的样品和持有电路在保持电容器中是介质吸收。聚酯薄膜例如，在一个快速的电压变化。在使用这种类型的电容器。具有极低迟滞的电介质有聚丁二烯、聚丙烯和特氟龙。其他类型，如云母而聚碳酸酯的质量也不太好。优点聚丙烯与聚苯乙烯相比，它将最高环境温度从85℃延长到100℃。大多数ce ramic电容器的迟滞度大于1%时不可用。Ce ramic“NPO”或“COG”电容器现在可用于125˚C工作，也具有低介电吸收。为更精确的数据，见介电吸收误差曲线。曲线上的滞后数是最终值完全放松后。磁滞误差可以是显著的如果LF198的输出在保持模式启动。磁滞弛豫时间例如，聚丙烯中的常数是10-50毫秒A-D转换可在1ms内完成，迟滞误差将减少10倍。
直流和交流调零
直流调零是通过连接偏移调整来完成的一端为1KΩ电位计的雨刮器的销与V+相连，另一端通过电阻接地。电阻器的选择应使≈0.6 mA通过1k电位计。交流调零（保持步骤归零）可以通过添加逆变器与调整盆捆绑输入输出。10磅/平方英尺从刮水器到保持电容器的电容器将提供±4 mV使用0.01μF保持电容器和5V保持步进调整逻辑电源。对于较大的逻辑摆幅，电容器更小可使用（<10 pF）。逻辑上升时间为了正常工作，进入LF198的逻辑信号必须最小dV/dt为1.0 V/μs。较慢的信号将导致过度的保持步骤。
应用提示（续）
对于信号延迟的逻辑输入，计算阈值点处波形的斜率，以确保至少1.0伏/微秒。动态信号采样移动输入信号的采样误差可能会导致更多
抽样和保留用户之间的混淆比任何其他参数都要大。主要原因是许多用户假设采样保持放大器在采样模式下锁定到输入信号。实际上，电路中存在有限的相位延迟，为快速移动的信号产生输入输出差分。另外，虽然输出可能已经稳定，但保持由于芯片上的300Ω系列电阻器，电容器有额外的滞后。这就是说，目前“hold”命令到达时，保持电容器电压可能与实际模拟输入有所不同。影响这些延迟与将电路从采样切换到保持的逻辑。例如，考虑10 kHz时20 Vp-p的模拟输入。最大dV/dt为0.6 V/μs，无模拟相位延迟，100ns逻辑延迟，可预期高达（0.1μs）（0.6V/μs）=60 mV误差，如果“保持”信号到达接近最大dV/dt输入的。正向输入将产生+60 mV er 误差。现在假设总带宽为1MHz（3dB）模拟回路。这将产生160纳秒的相位延迟。如果保持电容器看到这个确切的延迟，然后是模拟误差延迟为（0.16μs）（0.6 V/μs）=−96 mV。总输出误差为+60 mV（数字）−96 mV（模拟），总计−36 mV。到更令人困惑的是，模拟延迟与hold成比例电容值，而数字延迟保持不变。一个家庭包括曲线（动态采样误差）以帮助估计误差。对于采样条件，包括了标有光圈时间的曲线，其中输入在采样期间是稳定的，但可能会经历几乎突然的变化与“保持”命令一致。该曲线基于输入输出的1毫伏误差。第二条曲线，保持-稳定时间表示“保持”指令后输出稳定到1mV所需的时间。
数字馈通
快速上升时间逻辑信号可通过馈电引起保持误差外部输入模拟量同时输入放大器进入保持模式。为了减少这个问题，董事会布局应使逻辑线尽可能远离模拟输入和Ch引脚。接地保护痕迹可能也可以在输入行周围使用，特别是当它被驱动时来自高阻抗源。减小高振幅2.5V的逻辑信号也有帮助。
术语定义
保持阶跃：样品输出的电压阶跃从采样模式切换到保持模式时，使用稳定（直流）模拟输入电压。逻辑摆幅为5V。采集时间：获得输出阶跃为10V的新输入电压所需的时间。注意，采集时间不仅仅是输出稳定所需的时间，但也包括所有内部节点所需的时间当切换到保持模式。增益误差：采样模式下输出电压摆幅与输入电压摆幅之比，用百分数表示。保持稳定时间：输出到在“保持”逻辑命令后，在最终值的1 mV内稳定。动态采样误差：引入到由于在发出hold命令。误差用mV表示给定保持电容值和输入转换率。注意这个即使采样时间较长，也会出现误差项。光圈时间：“保持”命令和输入模拟转换之间所需的延迟，以便转换不影响保持的输出。
