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特征 :功率因数校正就绪信号车辆识别号缺失检测最大SW瘙痒频率限制内部软启动和无超调启动内部总谐波失真（THD）优化器精确可调输出过电压保护开放式反馈保护和禁用功能无电流检测器（ZCD）150μs内部启动定时器晶体管过电流保护（OCP）带3.5 V滞后的欠压锁定启动和运行电流低带高状态夹的图腾柱输出+500/-800毫安峰值栅极驱动电流8针，小外形包装（SOP）应用:适配器压舱物液晶电视、CRT电视
说明 :FA N7930C是一个有效的功率因数校正（PFC）用于运行boost PFC应用程序的控制器处于临界传导模式（CRM）它使用一个电压模式的脉宽调制，比较内部斜坡信号与产生MOSFET关断的误差放大器输出信号因为电压模式CRM PFC控制器不需要校正C线电压信息，它节省输入电压传感网络的功率损耗当前模式CRM PFC控制器所必需的。FA N7930C提供过电压保护（OV P），开反馈保护、过流保护（OCP）、输入电压缺失检测和欠压锁定保护（UVLO）PFC就绪引脚可用于触发其他功率级输出电压达到适当的滞后水平。如果INV引脚电压为低于0.45v，工作电流降低非常低的水平使用新的变量实时控制方法，总谐波失真（THD）比传统客户关系管理促进PFC集成电路。
应用程序信息一启动：正常情况下，PFC的电源电压（VCC）块由额外的电源供电，它可以被称为备用电源没有这个备用电源，辅助电流检测可用于零电流检测作为供应源一旦PFC的电源电压块超过12 V，内部操作启用，直到电压降到8.5伏。如果VCC超过VZ，20毫安VCC的电流正在下降。
2.INV Block：输出的标度dow n电压为INV pin的输入嵌入了许多功能基于INV引脚：跨导放大器，输出OV P比较器，禁用比较器，输出UVLO比较仪。对于输出电压控制，跨导用放大器代替传统的电压放大器跨导放大器（电压控制电流源）有助于OV P和disable函数输出电流放大器根据电压变化逆输入与非逆输入的区别放大器取消线路输入电压功率因数校正的影响及有效控制PFC块的响应应该比线路频率与暂态控制器的响应Tw o极一零型补偿可以同时满足这两个要求。OV P比较器关闭输出驱动块当INV引脚电压高于2.675 V时有0.175V的滞后禁用比较器当反向输入的电压低于0.35v，有100mv的滞后一个外部小信号MOSFET可用于禁用IC，如图中的n所示集成电路工作电流如果集成电路是已禁用图是内部额定功率因数校正输出电压时靠近输入引脚的电路为390伏直流电，VCC电源电压为15伏。
3.RDY输出：当INV电压高于2.24 V，RDY输出被高触发并持续到输入交流电时，逆变器电压低于2.051 V电压很高，例如240伏交流电，功率因数校正输出电压总是高于RDY阈值，不管升压变换器操作在这种情况下，INV在PFC-VCC之前，电压已经高于2.24伏触摸VSTART；无论如何，RDY输出不会被触发到直到VCC碰到VSTART升压变换器后操作停止，RDY未被拉低，因为INV电压高于RDY阈值当VCC功率因数校正电压低于5伏时，RDY被拉低虽然PFC的输出电压高于阈值这个RDY引脚输出为开路漏极，因此需要一个外部上拉电阻器来提供正确的电源RDY引脚输出保持浮动，直到VCC高于2V。
4.控制范围补偿：定时控制通过带有风扇7930 C的输出电压补偿器。当输入电压很高而负载很轻时，与输入时相比，控制范围变窄电压低控制范围的减小是相反的与输入电压的平方成正比 因此在高端，轻载时易发生意外爆破作业助力器可能会发出声音输入滤波器处的电感器或电感器不同于其他转换器，在PFC块中的突发操作不是因为PFC块本身通常是在待机模式下禁用减少意外轻载爆破作业，内部控制范围实现补偿功能并显示序号在高压线下连续运行至5%负荷。5个零电流检测：零电流检测（ZCD）产生MOSFET的导通信号当升压电感电流达到零时，使用辅助输入与电感耦合。当打开电源开关，在由于方向相反的辅助输入（见方程式1）感应正电压（见公式2）当电源开关关闭时。
W：VAUX是辅助输入电压；TIND是升压电感匝；辅助辅助输入匝；VAC是PFC转换器的输入电压；VOUT_PFC是来自PFC转换器的输出电压。
因为辅助输入电压可以从负-正电压，ZCD中的内部块引脚有正电压和负电压夹持电路当辅助电压为负时，内部电路在零电流密度处夹住负电压通过向序列号提供电流，在0.65 V附近引脚ZCD引脚和辅助电阻创作当辅助电压高于6.5 V，电流通过辅助输入到ZCD引脚。
辅助输入电压用于检查升压。电感电流零点实例当升压电感电流变为零，在MOSFET漏极处的升压电感和所有电容引脚：包括MOSFET的COSS；外部D-S引脚处的电容器，以降低电压上升和MOSFET的下降斜率；寄生电容感应器；等等以提高性能共振的电压被反映到辅助输入中，并且可以是用于检测升压电感的零电流MOSFET电压应力的谷位置对于山谷检测，电阻器和电容器的小延迟是需要。电容器提高了ZCD引脚如果ZCD电压高于1.5 V，则内部ZCD比较器输出在ZCD下降沿低于1.4 V比较器输出，内部逻辑开启MOSFET
因为MOSFET的开启依赖于ZCD输入，sw瘙痒频率可能增加到高于由于误触发或噪声开启而产生的几兆赫附近的ZCD管脚如果sw瘙痒频率更高比临界传导模式（CRM）所需，运行模式转换为连续传导模式（CCM）在CCM中，与CRM不同的是这里的boost电感下一次开关接通时电流重置为零；电感器电流在每个开关瘙痒周期累积，可以是上升到超高电流功率开关或二极管的额定值这可能是真的损坏电源开关为了避免这种情况，最大嵌入了sw痒频限制如果ZCD在前一个3.3μs后再次施加信号门信号上升沿，忽略此信号内部和FA N7930C w等待另一个ZCD信号。这稍微降低了功率因数性能负载轻，输入电压高。
印刷电路板布局指南PFC块通常处理高sw痒电流和电压低能量信号路径会受到高能量路径谨慎的印刷电路板布局是强制性的稳定运行。1.栅极驱动路径应尽可能短。从门驱动器开始的闭环系统，MOSFET栅极和MOSFET源对地PFC控制器应尽可能靠近这个也是电力地面和信号接地桥上的电源接地路径二极管对输出大容量电容器应短路还有我战俘之间的共享地位接地和信号接地应仅在一处避免接地回路噪声的位置信号路径PFC控制器应该是短的要接触的外部组件。
2.功率因数校正输出电压感测电阻器正常降低电流消耗这条路可以受到外界噪音的影响减少噪音INV引脚的电位，一个较短的输出路径建议感应如果较短的路径不是可能的话，在PFC输出和INV pin-接近INV pin好多了接近INV引脚的相对高压会有帮助的。
3.ZCD路径建议接近辅助从升压电感到ZCD管脚如果很难，放一个小电容器（在下面50 pF）以降低噪音。
4.sw-itching电流检测路径不应共享用另一条路来避免干扰一些可能需要额外的组件来减少应用于CS管脚的噪声级。
5.推荐VCC用稳定电容器尽可能靠近VCC和接地引脚如果是困难的是，将贴片电容器放在尽可能使用相应的管脚。
