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一般说明
W25P80（8M位）和W25P16（16M位）串行闪存为空间、管脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。它们是代码下载应用程序以及存储语音、文本和数据的理想选择。这些设备在一个2.7V到3.6V的电源上工作，电流消耗低至4MA激活，1微A断电。设备采用节省空间的SOIC封装。作为系列flash产品的一部分，winbond还提供1米/2米/4米位密度的兼容设备。
w25p80/16阵列被组织成4096/8192个可编程页面，每个页面256字节。使用PAGE PROGRAM指令一次最多可编程256字节。页面被分成16/32个可擦除扇区，每个扇区256页（64K字节），如图2所示。同时支持扇区擦除和芯片（全芯片）擦除指令。此外，还为通常存储在eeprom中的用户数据（例如id或修订号和配置参数）提供256字节的参数页。参数页与主数组分开，允许更快的擦除时间。
串行外围接口（spi）由四个引脚（串行时钟、芯片选择、串行数据输入和串行数据输出）组成，支持高达50mhz的高速串行数据传输。保持引脚，写保护引脚和可编程写保护功能提供进一步的控制灵活性。此外，还可以查询设备的制造商和设备类型。8M位和16M位串行闪存
包类型
W25P80/16主要以SOIC封装提供。W25P80和W25p16使用8针塑料208mil宽SOIC（Winbond封装代码SS）（NexFlash封装代码S），W25p16也使用16针塑料300mil宽SOIC（Winbond封装代码SF）（NexFlash封装代码F），分别如图1A和1B所示。包装图和尺寸见本数据表的末尾。可提供可选的8触点MLP软件包。请联系Winbond获取更多MLP包信息。
芯片选择（/cs）
spi chip select（/cs）管脚启用和禁用设备操作。当/cs为高时，设备被取消选择，串行数据输出（do）引脚处于高阻抗。当取消选择时，除非正在进行内部擦除、程序或状态寄存器循环，否则设备功耗将处于待机状态。当/cs降低时，将选择设备，功耗将增加到活动级别，可以向设备写入指令并从设备读取数据。通电后，/cs必须从高转换到低，才能接受新指令。/cs输入必须跟踪通电时的VCC电源电平。如果需要，可以使用/cs上的上拉电阻器来完成此操作。
串行数据输出（do）
spi串行数据输出（do）管脚提供了一种从设备串行读取（移出）数据和状态的方法。数据在串行时钟（CLK）输入引脚的下降沿向外移动。
写保护（/wp）
写入保护（/wp）引脚可用于防止写入状态寄存器。与状态寄存器的块保护（bp2、bp1和bp0）位和状态寄存器保护（srp）位一起使用，部分或整个存储器阵列可以受到硬件保护。/WP引脚处于低激活状态。
保持（/保持）
/hold pin允许在设备处于活动状态时暂停设备。当/hold变低时，当/cs变低时，do管脚将处于高阻抗，di和clk管脚上的信号将被忽略（不要在意）。当/HOLD处于高位时，设备操作可以恢复。当多个设备共享相同的spi信号时，/hold功能非常有用。（“参见保持功能”）
串行时钟（CLK）
SPI串行时钟输入（CLK）引脚提供串行输入和输出操作的定时。（“见SPI”操作）
串行数据输入（DI）
spi串行数据输入（di）管脚提供了一种将指令、地址和数据串行写入（移入）设备的方法。数据锁定在串行时钟（CLK）输入引脚的上升沿上。
方块图
W25P80/16通过一个SPI兼容总线访问，该总线由四个信号组成：串行时钟（CLK）、芯片选择（/CS）、串行数据输入（DI）和串行数据输出（DO）。支持SPI总线操作模式0（0,0）和3（1,1）。模式0和模式3之间的主要区别在于SPI总线主设备处于待机状态且数据未传输到串行闪存时CLK信号的正常状态。对于模式0，CLK信号通常较低。对于模式3，CLK信号通常为高电平。在这两种情况下，DI管脚上输入的数据在CLK的上升沿上采样。do管脚上的数据输出在clk下降沿上计时。
保持功能
/HOLD信号允许W25P80/16操作在被激活时暂停（当/CS低时）。在spi数据和时钟信号与其他设备共享的情况下，/保持功能可能有用。例如，当优先级中断需要使用spi总线时，考虑是否只部分写入了页面缓冲区。在这种情况下，/hold函数可以将指令和数据的状态保存在缓冲区中，这样一旦总线再次可用，编程就可以在中断的地方恢复。
要启动A/HOLD条件，必须选择/CS低的设备。如果CLK信号已经很低，A/HOLD状态将在/HOLD信号的下降沿激活。如果CLK还不低，则/保持条件将在CLK的下一个下降沿后激活。如果CLK信号已经很低，/HOLD条件将在/HOLD信号的上升沿终止。如果CLK不低，则/保持条件将在CLK的下一个下降沿之后终止。
在A/HOLD状态下，串行数据输出（do）为高阻抗，忽略串行数据输入（di）和串行时钟（clk）。芯片选择（/cs）信号应在/hold操作的整个持续时间内保持激活（低），以避免重置设备的内部逻辑状态。
写保护
使用非易失性存储器的应用程序必须考虑噪声和其他可能损害数据完整性的不利系统条件的可能性。为了解决这个问题，w25p80/16提供了几种保护数据不被意外写入的方法。
写入保护功能
•当VCC低于阈值时，设备复位。
•通电后时间延迟写入禁用。
•编写启用/禁用指令。
•程序和擦除后自动写入禁用。
•使用状态寄存器的软件写保护。
•使用状态寄存器和/wp引脚的硬件写保护。
•使用断电指令写入保护。
通电或断电时，当VCC低于VWI的阈值时，W25P80/16将保持复位状态（见通电定时和电压水平和图17）。重置时，将禁用所有操作，并且不识别任何指令。在通电期间以及在vcc电压超过vwi之后，由于tpuw的时间延迟，所有与程序和擦除相关的指令进一步被禁用。这包括写入启用、页面程序、扇区擦除、芯片擦除和写入状态寄存器指令。注意，芯片选择引脚（/cs）必须在通电时跟踪VCC电源电平，直到达到VCC最小电平和TVSL延时。如果需要，可以使用/cs上的上拉电阻器来完成此操作。
通电后，设备将自动置于状态寄存器的写禁用状态
写入启用闩锁（WEL）设置为0。在接受页程序、扇区擦除、芯片擦除或写入状态寄存器指令之前，必须发出允许写入指令。完成程序、擦除或写入指令后，写入启用闩锁（WEL）将自动清除为0的写禁用状态。
使用写状态寄存器指令和设置状态寄存器保护（srp）和块保护（bp2、bp1和bp0）位，有助于软件控制的写保护。这些状态寄存器位允许将部分或全部存储器配置为只读。与写保护（/wp）管脚一起使用，可以在硬件控制下启用或禁用对状态寄存器的更改。有关更多信息，请参阅状态寄存器。
此外，掉电指令提供了额外的写保护级别，因为除了释放掉电指令之外，所有指令都被忽略。
控制和状态寄存器
读状态寄存器指令可用于提供闪存阵列可用性的状态（如果设备已启用或禁用写）和写保护状态。写状态寄存器指令可用于配置设备写保护功能。
状态寄存器
忙碌的
busy是状态寄存器（s0）中的只读位，当设备执行页程序、扇区擦除、芯片擦除或写入状态寄存器指令时，该位被设置为1状态。在此期间，设备将忽略除读取状态寄存器指令以外的其他指令（参见交流特性中的tw、tpp、tse和tce）。当程序、擦除或写入状态寄存器指令完成时，忙碌位将被清除到0状态，指示设备已准备好接受进一步指令。
写入启用闩锁（WEL）
写启用锁存器（WEL）是状态寄存器（S1）中的只读位，在执行写启用指令后设置为1。当设备写禁用时，WEL状态位清除为0。在通电时或在以下任何指令之后出现写禁用状态：写禁用、页面程序、扇区擦除、芯片擦除和写状态寄存器。
块保护位（bp2、bp1、bp0）是状态寄存器（s4、s3、s2）中提供写保护控制和状态的非易失性读/写位。块保护位可以使用写状态寄存器指令来设置（参见交流特性中的tw）。所有、无或部分存储器阵列都可以免受程序和擦除指令的保护（参见状态寄存器存储器保护表）。块保护位的出厂默认设置为0，没有受保护的数组。如果状态寄存器保护（SRP）位设置为1且写入保护（/WP）引脚低，则无法写入块保护位。
保留位
状态寄存器位5和6被保留以备将来使用。当前设备将读取这些位位置的0。建议在测试状态寄存器时屏蔽保留位。这样做将确保与未来设备的兼容性。
状态寄存器保护（SRP）位是非易失性的
状态寄存器（s7）中的读/写位，可与写保护（/wp）引脚一起使用，以禁用对状态寄存器的写操作。当srp位设置为0状态（出厂默认值）时，/wp pin对状态寄存器没有控制权。当srp引脚设置为1时，当/wp引脚低时，写状态寄存器指令被锁定。当/wp引脚高时，允许写入状态寄存器指令。
说明
W25P80/16的指令集由13个基本指令组成，这些指令通过SPI总线完全控制（见指令集表）。使用芯片选择的下降沿（/cs）启动指令。进入DI输入的数据的第一个字节提供指令代码。DI输入上的数据在时钟的上升沿上采样，最高有效位（msb）在前。
指令的长度从一个字节到几个字节不等，后面可能是地址字节、数据字节、伪字节（不必在意），在某些情况下是一个组合。使用EDGE/CS的上升沿完成说明。每条指令的时钟相关时序图。所有读取指令都可以在任何计时位之后完成。但是，所有写入、编程或擦除的指令都必须在字节边界上完成（在一个完整的8位时钟后/cs驱动高），否则指令将终止。此功能进一步保护设备免受意外写入。此外，当存储器被编程或擦除时，或当状态寄存器被写入时，除读取状态寄存器外的所有指令都将被忽略，直到程序或擦除周期完成。
写入启用（06h）
write enable指令将状态寄存器中的write enable闩锁（WEL）位设置为1。WEL位必须在每个页面程序、扇区擦除、芯片擦除和写入状态寄存器指令之前设置。通过驱动/cs low，将指令代码“06h”移到clk上升沿上的数据输入（di）管脚中，然后驱动/cs high来输入write enable指令。
写禁用（04h）
写禁用指令将状态寄存器中的写启用闩锁（WEL）位重置为0。通过驱动/cs low，将指令代码“04h”移到di pin，然后驱动/cs high来输入写禁用指令。请注意，WEL位在通电后和写入状态寄存器、页面程序、扇区擦除和芯片擦除指令完成后自动重置。
读取状态寄存器（05h）
读取状态寄存器指令允许读取8位状态寄存器。通过驱动/CS LOW并将指令代码“05H”移到CLK上升沿上的DI管脚中来输入指令。然后，状态寄存器位在CLK下降沿的do管脚上向外移位，最有效位（msb）首先如图6所示。状态寄存器位如图3所示，包括busy、wel、bp2-bp0和srp位（参见本数据表前面对状态寄存器的描述）。
状态寄存器指令可以在任何时候使用，即使程序、擦除或写入状态寄存器周期正在进行。这允许检查忙状态位，以确定周期何时完成以及设备是否可以接受另一条指令。状态寄存器可以连续读取，。该指令通过驱动/cs high完成。
写入状态寄存器（01h）
写入状态寄存器指令允许写入状态寄存器。必须先执行写启用指令，设备才能接受写状态寄存器指令（状态寄存器位WEL必须等于1）。一旦启用写操作，通过驱动/cs low输入指令，发送指令代码“01h”，然后写入状态寄存器数据字节
只能写入非易失性状态寄存器位srp、bp2、bp1和bp0（位7、4、3和2）。所有其他状态寄存器位位置都是只读的，不会受到写入状态寄存器指令的影响。
/cs管脚必须在最后一个字节的第八位被锁定后被驱动到高位。如果不这样做，写状态寄存器指令将不会被执行。在/cs被驱动为高电平后，自动定时写入状态寄存器周期将开始，持续时间为tw（见AC特性）。当正在进行写入状态寄存器周期时，仍可访问读取状态寄存器指令以检查忙位的状态。在写入状态寄存器周期中，忙碌位是1；在周期结束并准备再次接受其他指令时，忙碌位是0。写入寄存器循环完成后，状态寄存器中的写入启用闩锁（WEL）位将清除为0。
写入状态寄存器指令允许设置块保护位（bp2、bp1和bp0），以保护所有、部分或无内存不受擦除和程序指令的影响。保护区变为只读（见状态寄存器内存保护表）。写入状态寄存器指令还允许设置状态寄存器保护位（srp）。此位与写保护（/wp）引脚一起使用，以禁用对状态寄存器的写操作。当srp位设置为0状态（出厂默认值）时，/wp pin对状态寄存器没有控制权。当srp引脚设置为1时，当/wp引脚低时，写状态寄存器指令被锁定。当/wp引脚高时，允许写入状态寄存器指令。
写状态寄存器指令序列图
读取数据（03h）
读取数据指令允许从存储器中顺序读取一个以上的数据字节。通过将/cs pin低驱动，然后将指令代码“03h”后跟24位地址（A23-a0）移入di pin来启动指令。代码和地址位锁定在CLK引脚的上升沿上。接收到地址后，地址存储器位置的数据字节将在CLK下降沿的do管脚上移位，最高位（msb）优先。在每个字节的数据被移出允许连续的数据流之后，地址自动递增到下一个更高的地址。这意味着只要时钟继续，整个存储器可以用一条指令访问。该指令通过驱动/cs high完成。读取数据指令序列如图8所示。如果在执行擦除、程序或写入周期（busy=1）时发出读取数据指令，该指令将被忽略，并且不会对当前周期产生任何影响。读数据指令允许来自D.C.的时钟速率达到最大FR（参见AC电气特性）。
快速读取（0bh）
快速读取指令与读取数据指令类似，只是它可以以fr的最高频率工作（参见交流电气特性）。这是通过在24位地址后面添加一个“伪”字节来实现的，虚拟字节允许设备内部电路有额外的时间来设置初始地址。DI管脚上的伪字节数据值是“不在乎”。
页面程序（02h）
页面编程指令允许在先前擦除的所有1S（FFH）内存位置编程多达256字节的数据。在设备接受页面程序指令（状态寄存器位WEL必须等于1）之前，必须执行写启用指令。通过驱动/cs pin低位，然后将指令代码“02h”后跟24位地址（a23-a0）和至少两个数据字节移入di pin来启动指令。因为w25p80/16程序每次以一个字（两个字节）为增量，所以24位地址（a23-a0）必须是偶数地址（a0必须等于0）。当数据发送到设备时，/cs管脚必须在指令的整个长度内保持低位。
如果要对整个256字节的页面进行编程，则最后一个地址字节（8个最低有效地址位）应设置为0。如果最后一个地址字节不为零，并且时钟数超过了剩余的页面长度，则寻址将自动换行到页面的开头。少于256个字节可以编程，而不会对同一页中的其他字节产生任何影响。如果发送到设备的字节数超过256，寻址将自动换行到页面的开头并覆盖以前发送的数据。
与write和erase指令一样，在最后一个字节的第八位被锁定后，/cs管脚必须被驱动到高位。如果不这样做，页面程序指令将不会被执行。在/cs被高驱动后，自计时页程序指令将在tpp的一段时间内开始（见ac characteristics）。当页程序周期正在进行时，仍然可以访问读状态寄存器指令来检查忙位的状态。在页面程序周期中，忙碌位是1，当周期结束且设备准备好再次接受其他指令时，忙碌位变为0。页面程序循环完成后，状态寄存器中的写入启用闩锁（WEL）位清除为0。如果编址页受块保护（bp2、bp1、bp0）位保护（见状态寄存器存储器保护表），则不执行页程序指令。
页面程序指令序列图
扇区擦除（D8H）
扇区擦除指令将指定扇区内的所有存储器设置为所有1s（ffh）的擦除状态。在设备接受擦除扇区指令之前，必须执行写启用指令（状态寄存器位WEL必须等于1）。该指令通过驱动/cs引脚低位并在24位扇区地址（a23-a0）后移动指令代码“d8h”
/cs管脚必须在最后一个字节的第八位被锁定后被驱动到高位。如果不这样做，扇区擦除指令将不会执行。在/cs被高速驱动后，自计时扇区擦除指令将在tse的一段时间内开始（见ac特性）。当扇区擦除周期正在进行时，仍然可以访问读取状态寄存器指令以检查忙位的状态。在扇区擦除周期中，忙碌位是1，当周期结束且设备准备好再次接受其他指令时，忙碌位变为0。扇区擦除循环完成后，状态寄存器中的写入启用闩锁（WEL）位清除为0。如果编址页受块保护（bp2、bp1、bp0）位保护（见状态寄存器存储器保护表），则不会执行扇区擦除指令。
芯片擦除（C7H）
芯片擦除指令将设备内的所有存储器设置为所有1s（ffh）的擦除状态。在设备接受芯片擦除指令之前，必须执行写使能指令（状态寄存器位WEL必须等于1）。该指令通过将/cs管脚压低并移动指令代码“c7h”来启动。
在锁定第八个位后，必须将/cs引脚驱动到高位。如果不这样做，芯片擦除指令将不会执行。在/cs被高驱动后，自计时芯片擦除指令将在tce的一段时间内开始（见ac特性）。当芯片擦除周期正在进行时，仍然可以访问读取状态寄存器指令来检查忙位的状态。在芯片擦除周期中，忙位为1，完成后变为0，设备准备再次接受其他指令。在芯片擦除周期结束后，状态寄存器中的写入启用闩锁（WEL）位被清除为0。如果任何页受到块保护（bp2、bp1、bp0）位的保护（见状态寄存器存储器保护表），则不执行芯片擦除指令。
断电（B9H）
虽然正常运行时的备用电流相对较低，但随着掉电指令的执行，备用电流可以进一步降低。较低的功耗使得掉电指令对于电池供电的应用特别有用（参见AC特性中的ICC1和ICC2）。通过低驱动/cs引脚并移动指令代码“b9h”来启动指令。
在锁定第八个位后，必须将/cs引脚驱动到高位。如果不这样做，就不会执行断电指令。在/cs被驱动高之后，在tdp的持续时间内进入掉电状态（见交流特性）。当处于关机状态时，将只识别从关机/设备ID指令中释放，该指令将设备恢复到正常操作。忽略所有其他指令。这包括读取状态寄存器指令，它在正常操作期间始终可用。除了一个指令之外，忽略所有都会使掉电状态成为保证最大写保护的一个有效条件。装置在正常运行时，总是以ICC1的备用电流通电。
释放电源关闭/设备ID（ABH）
断电释放/设备标识指令是一个多用途指令。它可以用来解除设备的断电状态，获取设备的电子标识（ID）号码或两者兼而有之。
当仅用于将设备从断电状态释放时，通过驱动/cs pin low、移动指令代码“abh”和驱动/cs high发出指令，在TRES1（见交流特性）持续时间后，设备将恢复正常运行，并接受其他指令。/CS引脚必须在TRES1持续时间内保持高。
当仅用于在非断电状态下获取设备id时，通过将/cs pin低驱动并将指令代码“abh”后跟3个伪字节移位来启动该指令。然后，设备id位在clk的下降沿上向外移动，首先是最高有效位（msb），W25P80和W25P16的设备ID值列在制造商和设备标识表中。可以连续读取设备ID。该指令通过驱动/cs high完成。
当用于将设备从断电状态释放并获取设备ID时，该指令与前面描述的和图13中所示的相同，只是/cs被高驱动后，它必须在tres2的时间段内保持高电平（参见交流特性）。在此时间之后，设备将恢复正常操作，并接受其他指令。
如果在执行擦除、程序或写入周期（当busy等于1时）时发出断电/设备id指令，则该指令将被忽略，并且不会对当前周期产生任何影响。
释放断电/设备ID指令序列图
读取制造商/设备ID（90h）
读取制造商/设备id指令是断电释放/设备id指令的替代，该指令提供jedec分配的制造商id和特定设备id。
读取制造商/设备ID指令与断电释放/设备ID指令非常相似。该指令通过将/cs pin低驱动并移动指令代码“90h”，然后移动24位地址（a23-a0）000000 h来启动。之后，winbond（efh）的制造商ID和设备ID在CLK的下降沿上向外移动，最有效位（msb）在前，W25P80和W25P16的设备ID值列在制造商和设备标识表中。如果24位地址最初设置为000001H，则首先读取设备ID，然后读取制造商ID。可以连续读取制造商和设备ID，从一个读取到另一个。该指令通过驱动/cs high完成。
读取制造商/设备ID（90h）
读取制造商/设备id指令是断电释放/设备id指令的替代，该指令提供jedec分配的制造商id和特定设备id。
读取制造商/设备ID指令与断电释放/设备ID指令非常相似。该指令通过将/cs pin低驱动并移动指令代码“90h”，然后移动24位地址（a23-a0）000000 h来启动。之后，winbond（efh）的制造商ID和设备ID在CLK的下降沿上向外移动，最有效位（msb）在前，W25P80和W25P16的设备ID值列在制造商和设备标识表中。如果24位地址最初设置为000001H，则首先读取设备ID，然后读取制造商ID。可以连续读取制造商和设备ID，从一个读取到另一个。该指令通过驱动/cs high完成。
出于兼容性的原因，w25p80/16提供了一些以电子方式确定设备标识的说明。read jedec id指令与2003年采用的spi兼容串行存储器jedec标准兼容。
该指令通过将/cs引脚低驱动并移动指令代码“9FH”来启动。然后，jedec为winbond（efh）分配的制造商id字节和两个设备id字节、内存类型（id15-id8）和容量（id7-id0）将在clk的下降沿上移位，首先是最高有效位（msb），W25P80的存储器类型为20h，容量为14h；W25P16的存储器类型为20h，容量为15h。
读取参数页指令允许读取参数页的一个或多个字节。该指令通过将/cs引脚低驱动，然后将指令代码“53h”和24位地址（a23-a0）移入di引脚来启动。只使用较低的8个地址位（a7-a0），忽略最高的16个地址位（a23-a8）。代码和地址位锁定在CLK引脚的上升沿上。接收到地址后，地址存储器位置的数据字节将在CLK下降沿的do管脚上移位，最高位（msb）优先。在每个字节的数据被移出允许连续的数据流之后，地址自动递增到下一个更高的地址。当到达参数页的末尾时，地址将自动换行到开头。读取参数页指令如图18所示。如果在执行擦除、程序或写入周期（busy=1）时发出读取参数页指令，则该指令将被忽略，并且不会对当前周期产生任何影响。读参数页指令允许来自D.C.的时钟速率达到最大FR（参见AC电气特性）。
快速读取参数页（5bh）
快速读取参数页指令与读取参数页指令基本相同，只是它允许使用更快的时钟速率。快速读取Parameter Page指令可以在时钟速率从D.C.到最大FR（参见AC电气特性）。这是通过在24位地址后面添加一个“伪”字节来实现的，如图19所示。虚拟字节允许设备内部电路有额外的时间来设置初始地址。DI管脚上的伪字节数据值是“不在乎”。
程序参数页（52h）
程序参数页指令允许在存储字位置编程多达256字节（128个字），这些存储字位置先前已被擦除为所有1s“ffffh”（请参阅擦除参数页指令）。在设备接受程序参数页指令（状态寄存器位WEL必须等于1）之前，必须执行写启用指令。通过驱动/cs pin低位，然后将指令代码“52h”后跟24位地址（a23-a0）和全部256个数据字节移位到di pin中来启动指令。只使用较低的8个地址位（a7-a0），忽略16个最高的地址位（a23-a8）。因为w25p80/16程序每次以一个字（两个字节）为增量，所以地址必须是偶数地址（a0必须等于0）。当数据发送到设备时，/cs管脚必须在指令的整个长度内保持低位。程序参数页指令序列如图20所示。
需要在参数页上将的起始地址设置为00h。如果发送到设备的字节数超过256，寻址将自动换行到页面的开头。如果先前写入的数据字节被过度写入，则数据将无效。
在大多数应用程序中，最好将页面的全部256字节内容读入临时RAM。然后可以根据需要修改数据，整个256字节可以一次重新编程到参数页中。
与write和erase指令一样，在最后一个字节的第八位被锁定后，/cs管脚必须被驱动到高位。如果不这样做，参数页程序指令将不会执行。在/cs被高驱动后，自计时页程序指令将在tpp的一段时间内开始（见ac characteristics）。当页程序周期正在进行时，仍然可以访问读状态寄存器指令来检查忙位的状态。在程序周期中，忙碌位是1，当周期结束且设备准备好再次接受其他指令时，忙碌位变为0。程序周期结束后，状态寄存器中的写入启用闩锁（WEL）位清除为0。如果地址页受块保护（bp2、bp1、bp0）位保护（见状态寄存器存储器保护表），则程序参数页指令将不执行。
参数页程序指令序列图
清除参数页（D5H）
在设备接受擦除参数页指令（状态寄存器位WEL必须等于1）之前，必须执行写启用指令。该指令通过将/cs管脚压低并移动指令代码“d5h”来启动。
在锁定第八个位后，必须将/cs引脚驱动到高位。如果不这样做，将不会执行擦除参数页指令。在/cs被高驱动后，自定时擦除参数页指令将在tpe的一段时间内开始（见ac特性）。当正在进行擦除参数页循环时，仍可访问读取状态寄存器指令以检查忙位的状态。在擦除参数页周期中，忙碌位为1，完成后变为0，设备准备再次接受其他指令。擦除参数页循环完成后，状态寄存器中的写入启用闩锁（WEL）位清除为0。如果任何页受块保护（bp2、bp1、bp0）位保护（见状态寄存器存储器保护表），则不执行擦除参数页指令。
