FDMF8705点击型号即可查看芯片规格书
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好处 :充分优化系统效率。更高的效率水平与传统的离散方法相比是可以实现的组件。与离散解决方案相比，最多节省50%的PCB空间。操作频率更高。简化系统设计和电路板布局。缩短时间组件选择和优化。
特征 :12V典型输入电压输出电流高达18A500kHz开关频率内部自适应门驱动器集成自举二极管峰值效率>85%欠压闭锁失相停机输出禁用薄型SMD封装符合RoHS
一般说明 :FDMF8705是一款经过全面优化的集成12V Driver Plus大电流同步mosfet功率级解决方案buck dc-dc应用。该设备集成了一个驱动芯片和两个功率mosfet，8毫米x 8毫米，56针，节省空间POWER888482;组件。飞兆半导体集成电路该方法利用关于驱动场效应晶体管动态性能，系统电感和电阻的整体解。包裹寄生菌和与之相关的问题布局传统的离散解大大减少。这个综合方法可显著节省电路板空间，因此最大化的足迹功率密度。这个解决方案是基于Intel™DRMOS规范。
应用 :桌面和服务器非V核Buck转换器。游戏机和高端的CPU/GPU动力系统桌面系统。大电流DC-DC负载点（POL）转换器网络和电信微处理器电压调节器小型电压调节器模块
操作描述电路描述 :是一个驱动器加fet模块优化同步巴克变换拓扑单一PWM输入信号是所有需要预先驱动高侧和The low-side mosfets.每一部分都能驱动速度Up to 500khz.低侧驱动器低侧驱动器（LDRV）设计成驱动地面参考低RDS（）n-channel mosfet比亚斯是VCIN和CGND之间的内部连接。当驱动程序被设置，驱动程序的输出是180度的相位输出。PWM输入当驱动程序失灵时是低的。高侧驱动器高侧驱动器（HDRV）设计成驱动浮动。N-channel mosfet高侧驱动器的偏压是由一个升降机供应电路开发，由内置二极管和外置电容器杜林启动，VSWH支持PGND，允许CBoot充电到通过内部二极管当PWM输入开始高，HDRV将开始填充高侧的大门在这个转变过程中，负荷从CBOOT和运送到Q1'如Q1转身，VSWH升高，强行推进葡萄酒+vc+boot，which provides足够增强完成开关循环，Q1被HDRV切换到VSWH。那是当VSWH倒下到PGND时充电到VCIN。高清晰度输出在PWM输入阶段当驱动程序失灵时高侧门是低的。自适应门驱动电路驱动程序装饰的高级设计最小死亡时间射门传导电流感觉到门驱动的摩擦和调整，自适应，以确保他们不同时驾驶。Refer to Figure 24 and 25For the relevant timing waveforms.在低到高转换期间防止过多自适应电路监控电压在LDRV PIN当PWM信号高时，Q2会在某些传播延迟之后开始转换有一次，LDRV PIN在下游~ 1.2V，Q1开始自适应延迟TPDH（HDRV）在高至低转变过程中的预处理（Q1 Off to the High-to-Low Transition）自适应电路监视器松当PWM信号低时，Q1会开始退出在某些繁殖延迟之后一次下跌~ 2.2v，Q2开始转向自适应延迟TPDH（《LDRV》Additionally，vgs of Q1 is monitored.当VGS（Q1）是下游放电~ 1.2v，一个二次自适应延迟被启动，在TPDH（LDRV）之后，什么结果在Q2 being drivenOf SW State.这一功能实现了保证充电每一个开关循环，特别是在哪儿功率变换器是沉电流，而开关电压不降落在2.2V自适应阈值下二次延迟Is longer than TPDH（LDRV）
应用程序信息供电电容器选择 ：对于fdmf8705的电源输入（vcin），本地陶瓷建议使用旁路电容器来降低噪音和提供峰值电流。使用至少1μF、X7R或X5R电容器。使电容器靠近FDMF8705 vcincgnd管脚。自举电路自举电路使用电荷存储电容器（cboot）以及内部二极管，如图所示。选择这些组件应该在高侧mosfet之后完成已经被选中。确定所需电容使用以下公式：
其中qg是高边mosfet的总栅电荷，而∏vboot是高压侧允许的电压降mosfet驱动器。例如，内部高压侧的QGmosfet约为21nc@12vgs。允许的下垂约300毫伏，所需的自举电容大于100毫伏。好的必须使用优质陶瓷电容器。可以估计平均二极管正向电流if（avg）其中fsw是控制器的开关频率。高峰应检查内部二极管的浪涌电流额定值在电路中，因为这取决于等效阻抗整个引导电路，包括pcb线路。为了需要更高中频的应用，可以使用外部二极管与内部二极管并联。模块功率损耗测量和计算模块失电测试方法。权力损失计算如下：
印刷电路板布局指南图。显示了FDMF8705和关键部分。所有的大电流路径，如vin，vswh，VOUT和GND铜，应短而宽，以便更好地稳定的电流、散热和系统性能。以下是pcb设计者应该遵循的准则考虑：1.输入旁路电容器应接近车辆识别号和接地引脚有助于降低输入电流纹波分量的FDMF8705由开关操作引起的。2.VSWH铜的最小面积降低开关噪声发射。VSWH铜痕迹应也要足够宽，以适应大电流。其他信号路由应考虑诸如pwm输入和引导信号的路径小心避免噪声从vswh铜区拾取。3.输出电感位置应尽可能靠近FDMF8705，用于降低由于铜痕迹造成的功率损耗。4.将陶瓷旁路电容器和启动电容器放置在靠近的位置连接至FDMF8705的VCIN和引导销，以稳定供电权力。还应考虑布线宽度和长度。5.在每个铜区域上使用多个过孔将每个过孔互连顶部、内部和底部有助于平滑电流和热量传导。过孔应相对较大且合理电感。
