550点击型号即可查看芯片规格书
特征 :工业标准插脚4.5-V至18-V工作范围在VDD=12V时，3-A峰值接收器/源2.4-A水槽/1.6-A电源，电压为6 V反转配置（FAN3216）和非反转配置（FAN3217）；如果没有输入，内部电阻器关闭驱动器12 ns/9 ns典型上升/下降时间（1 nf负载）20 ns典型传播延迟时间匹配到另一个通道有1nsTTL输入阈值MillerDrive8482;技术并联通道的双电流能力标准SOIC-8封装环境温度为-40°C至+125°C符合AEC-Q100（F085版本）的汽车
应用 :软件痒模式电源高效mosfet开关瘙痒同步整流电路直流-直流转换器电机控制汽车合格系统（F085版本）
说明 :FA N3216和FAN3217双2 A门驱动器是设计用于驱动N通道增强模式mosfet在低端sw瘙痒应用中的应用在短时间内提供高峰值电流脉冲sw间隔。它们都有TTL输入阈值。内部电路通过保持低输出直到电源电压在工作范围内。在此外，驱动程序功能与内部A和B通道之间的传输延迟需要双栅极驱动器的应用定时，如同步整流器。这也是支持并行连接TW O驱动程序以有效地驱动单个mosfet的电流容量是原来的两倍。FA N3216/17驱动程序包含MillerDrive™最终输出阶段的体系结构。这种双极性mosfet组合在mosfet开关的miller平台级使开关损耗最小化的过程，同时提供轨对轨电压开关和反向电流能力。FAN3216提供两个反转驱动器和fa n3217提供tw o非反转驱动器。两者都是提供标准8针SOIC封装。
应用程序信息 :输入阈值FAN3216和FAN3217驱动器由TW O组成可独立使用的相同信道额定电流或并联单个电流容量。输入阈值符合行业标准ttl逻辑阈值与VDD电压无关，并且滞后电压约为0.4V。水平允许输入从一系列电压超过2V的输入逻辑信号电平被认为逻辑性很高。TTL的驱动信号输入应具有快速上升和下降的边缘转换速率为6 V/微秒或更快，因此上升时间从0到3.3 V应小于等于550纳秒。随着回转率的降低，电路噪声可能导致驱动器输入电压超过滞后电压并重新触发驱动器输入，导致运行不稳定。静态供电电流在IDD（静态）典型性能特性中在图显示n，每条曲线是在两个输入浮动和两个输出的情况下产生低表示EST静态IDD电流低。对于其他状态，通过100K的附加电流输入和输出上的电阻在块中显示为N各部分示意图。在在这些情况下，实际的静态IDD电流是从曲线加上这个附加电流得到。MillerDrive™门驱动技术FA N3216和FA N3217门驱动器包含MillerDrive™体系结构如图31所示。对于输出级，双极和mos器件的组合在电源范围内提供大电流电压和温度变化。双极器件在1/3之间进行大部分电流输出到2/3的vdd和mos器件将输出拉到高轨或低轨。MillerDrive™体系结构的目的是通过在miller平台区的栅漏电容mosfet作为打开/关闭过程。对于零电压开关的应用mosfet开关间隔，驱动器提供高峰值电流，即使米勒高原不存在。这种情况经常发生在同步整流器的应用中，因为二极管通常在mosfet被sw开始运行了。输出引脚转换率由V dd电压决定以及输出的负载。它不是用户可调的，但是如果电流变慢的上升或下降时间，可以增加串联电阻需要在mosfet栅极处。
欠压闭锁FAN321X启动逻辑经过优化，可在低电压下驱动接地参考N通道mosfet锁定（uvlo）功能，确保ic启动以有序的方式。当VDD上升，但低于3.9V工作电平，该电路保持输出低，与输入引脚的状态无关。之后部件激活，电源电压必须下降0.2 V零件关闭。这种滞后有助于防止当低VDD电源电压有来自电源开关。此配置不适合用于驱动高边p沟道mosfet，因为驱动器输出电压低会使P通道转动VDD低于3.9 V的W上的mosfet。VDD旁路电容器指南要使此IC快速打开设备，本地高频旁路电容器，CBYP，带低ESR和ESL应连接在VDD和GND之间具有最小跟踪长度的管脚。这个电容器在添加10至47μf的体积电解电容常见于驱动器和控制器偏置电路。选择cbyp值的一个典型标准是保持VDD电源上的纹波电压小于等于5%。这个通常在值大于等于20倍时达到负载电容ceqv，这里定义为qgate/vdd。0.1μf至1μf或更大的陶瓷电容器常见的选择，例如X5R和X7R，具有良好的温度特性和高脉冲电流能力。如果电路噪声影响正常工作，则CBYP可增加至CEQV的50-100倍，或cbyp可分为tw-o电容器。一个应该是基于等效负载电容的较大值，以及另一个较小的值，如1-10nf安装最靠近VDD和GND管脚，携带电流脉冲的高频分量。这个旁路电容器必须提供来自两个驱动程序通道，如果驱动程序sw同时发行，复合峰值电流来自CBYP的冰应该和W-hen一样大一个频道在sw-itching布局和连接指FA N3216和FAN3217门驱动器包含快速反应输入电路，短传播延迟，以及能够输出电流的功率级峰值超过2 A以促进电压转换时间低于10纳秒到超过150纳秒。
以下布局和强烈建议使用连接指南：保持高电流输出和电源接地路径与逻辑输入信号和信号接地分开路径。这对于ttl级逻辑尤其重要驱动器输入引脚的阈值。让驾驶员尽可能靠近负载最大限度地减少高电流记录道的长度。这个减少串联电感以改善高速开关瘙痒，同时减少可将EMI辐射到驱动器输入和周围的电路。如果通道的输入不是外部的连接后，显示内部100 k电阻器在方块图上命令低输出。在嘈杂中在环境中，可能需要将一个未使用的信道，使用短的防止噪音引起杂散的痕迹输出开关。许多高速电源电路可能受到影响从它们的输出或其他外部源，可能导致输出重新触发。如果电路在实验板或非最佳电路中测试带有长输入或输出引线的布局。最好的结果，将所有插脚连接短尽可能直接。FA N3216和FA N3217与许多其他行业标准驱动因素。接通和断开电流路径应最小化，如下一节所述。图显示了脉冲栅极驱动电流路径当栅极驱动器提供栅极充电以转动mosfet打开。电流由本地提供旁路电容器、CBYP和流经驱动器的S流mosfet栅极与接地。达到顶峰可能的峰值电流，电阻和电感路径应该最小化。局部cbyp行为将峰值电流脉冲包含在驱动器组电路中，防止它们干扰pwm控制器中的敏感模拟电路。
图.mosfet通电的电流路径，图显示了门驱动器的当前路径关闭mosfet。理想情况下，司机调车直接到mosfet源的电流回路回路。对于快速关闭时间，电阻和此路径中的电感应最小化
工作波形在通电时，驱动器输出保持在低位，直到VDD电压达到开启阈值。这个输出脉冲的幅度随着v dd的增加而增加，直到达到稳态VDD。不可逆图所示的操作表明在达到uvlo阈值之前保持低值，然后输出与输入同相。启动波形的反转配置为在图中显示N。in+与v dd和输入绑定信号施加到输入-，输出脉冲与关于投入。在功率上升时，反向输出保持低电压直到VDD电压达到接通阈值，然后它跟随具有反相的输入w。
