10V点击型号即可查看芯片规格书
FOD3181点击型号即可查看芯片规格书
特征
保证工作温度范围-20°C至+85摄氏度最小峰值输出电流0.5A高速响应：最大传播延迟500ns超温范围宽VCC工作范围：10V至20V
5000VRMS，1分钟隔离最小爬电距离7.0 mm最小间隙距离7.0 mmC-UL、UL和VDE*批准10KV/微秒最小共模抑制（CMR）VCM=1500V1.5Ω（典型值）的rds（开）提供更低的功耗
应用
等离子显示屏高性能DC/DC转换器高性能开关电源高性能不间断电源隔离功率mosfet栅极驱动*需要“v”排序选项
说明
FOD3181是一个0.5A的高速输出电流mosfet栅极驱动光耦。它包括砷化镓铝（algaas）发光二极管与CMOS集成电路光学耦合动力阶段。功率级由pmos上拉和nmos下拉功率晶体管组成。理想情况下适用于等离子显示面板（PDP），电机控制逆变器应用和高性能DC/DC转换器。该设备封装在8针双列直插式外壳中与无铅260°C回流焊工艺兼容焊料符合性。
笔记：
1.以0.3毫安/摄氏度的速率线性降低+70摄氏度以上的自由空气温度。
2.输出电流IOH和IOL规定为电容电流限制负载=（3 x 0.01μf）+0.5Ω，频率=8kHz，50%测向。
3.输出电流IOH和IOL规定为电容电流限制负载=（3 x 0.01μf）+40Ω，频率=8kHz，50%测向。
4.在整个工作温度范围内无需降额。
5.在这个测试中，VOH是在100毫安的直流负载电流下测量的。当驱动电容性负载时，VOH将接近VCC当IOH接近零安培时。
6.最大脉冲宽度＝1ms，最大占空比＝20%。
7.TPHL传输延迟从输入脉冲下降沿上的50%电平测量到VO信号下降沿。TPLH传播延迟是从输入上升沿的50%水平测量的脉冲至VO信号上升沿的50%。
8.插脚1和4需要连接到LED公共线。
9.共模瞬态中的高抗扰度是共模脉冲的最大可容忍DVCM/dt。VCM以确保输出将保持在高状态（即VO>10.0V）。
10.低模式下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲的最大可容忍DVCM/dt。VCM，以确保输出将保持在低状态（即VO<1.0V）。
11.根据UL 1577，每个光耦通过施加大于6000Vrms的绝缘测试电压进行验证测试，60Hz持续1秒（泄漏检测电流限制II-O<5微安）。
12.被认为是双端装置的装置：输入端的引脚短接在一起，输出端的引脚短接一起。
输出功率降额最大封装功耗为95MW。这个包装仅限于此级别，以确保在正常情况下工作条件和超温半导体结温度的范围不超125°C。包装功率由三个元件；LED，静态工作电源输出IC，输出功率中耗散的功率mosfet晶体管。输出IC的额定功率为250兆瓦。这种力量分为集成电路，它是IDD乘以电源电压（VDD–VEE）。最大集成电路静态输出功率150mw，（vdd–vee）=25v，idd=6毫安。此最大条件在工作温度范围为-40°C至+100°C下有效。最大工作条件，输出功率mosfet可以耗散100mw的功率。绝对最大输出功率耗散对环境温度如图所示。输出驱动器能提供100MW的输出功率在温度范围从-40°C到87°C时，在绝对最大运行时输出降到90MW。温度100°C。
输出功率是平均输出功率的乘积电流平方乘以输出晶体管的rds（开）：po（平均值）=io（平均值）2rds（开）IO（平均值）是占空比乘以输出中的峰值电流。占空比为输出负载电流“开启”时间除以按工作频率的周期。的rds（on）2.0Ω导致平均输出负载电流为200毫安。负载占空比是平均输出时间的比率功率mosfet的负载电路和驱动频率周期。最大允许工作频率是由其输出端的负载决定的。输出脉冲宽度。图显示了0.03μf栅源电容，串联电阻40Ω。这种无功负荷导致平均脉冲宽度为1.5微秒。在此负载条件下没有必要减去绝对最大输出量。电流输出到250kHz。
oh和iol试验条件该装置在驱动复杂无功负载时进行测试和规定。负载包括与限流电阻器串联。电容器表示电源的门到源电容mosfet晶体管。试验负载为0.03uF电容器与40Ω电阻器串联。LED测试频率为10.0kHz，占空比为50%。两者的结合测试时IOL输出负载电流占空比为0.6%频率。图显示了LED输入的关系驱动电流和装置的输出电压，源极电流和陷极电流。0.03μf电容器负载表示非常大的功率mosfet晶体管。单电源它们各自的电流脉冲。
