W83321S点击型号即可查看芯片规格书
W83321S是一种高速N通道同步降压调节器控制器。W83321S采用固定频率电压模式的PWM控制结构。高边和低边mosfet都是低成本的n沟道类型。该稳压器由一个5V轨道偏置，高压侧mosfet的电源可以由一个单独的12V轨道供电，也可以由一个本地电荷泵供电。电流限制是通过监测低压侧mosfet的导通电阻上的电压降来实现的。该方法消除了对附加电流敏感电阻的要求，避免了在车辆识别号变化时误触发OC保护。自适应非重叠mosfet栅极驱动器有助于避免潜在的穿透问题，同时保持高效率。
特征Y工作范围从+5V输入Y 0.8V到车辆识别号输出范围-0.8V内部参考-？1.5%过线电压和温度Y驱动N通道mosfet Y简单单回路控制设计-电压模式pwm控制Y快速瞬态响应Y无损，可编程过电流保护-使用较低的mosfet的rds（on）-无感测电阻的电流限制y小转换器尺寸-250 kHz固定频率振荡器-内部软启动-微型塑料sop-8封装
应用y主板电源调节y子系统电源-pci/agp/gtl+总线-acpi电源控制-sstl-2和ddr sdram总线终端电源y电缆调制解调器、机顶盒和dsl调制解调器y dsp和核心通信处理器提供y存储电源y个人计算机外围设备y工业电源y 5v输入dc-dc调节器y低压分布式电源
内部框图
高侧驱动器的mosfet栅极驱动器电源通过引导引脚。该电压可以由单独的、更高的电压源提供，或者由本地电荷泵结构提供，或者由两者的组合提供。由于低侧mosfet栅极和高侧mosfet栅极的电压正在被监测以确定mosfet的状态，因此应仔细考虑在栅极驱动器和它们各自的mosfet栅极之间添加外部组件。这样做可能会干扰射击防护。电流限制（过电流保护）电流限制是通过感应低压侧mosfet上的电压来实现的。该方法通过消除电流敏感电阻，提高了变换器的效率，降低了成本。当低压侧mosfet导通时，一个90ua的恒定电流通过rocset，rocset是连接在相位和isen之间的一个外部电阻，导致固定的电压降。此固定电压与VDS进行比较，如果后者更高，则芯片进入电流限制模式。在电流限制模式下，高侧和低侧mosfet都被关闭。经过25毫秒的延迟，软启动
循环开始。如果延迟间隔后过电流的原因仍然存在，则电流限制将再次触发。关闭-延迟-软启动循环将无限期重复，直到过电流事件清除。ipeak=（iocset x rocset）/rds（on）rds（on）：低侧mosfet电阻
vboot应用中的局部电荷泵应用电路
Vboot应用的单独VCC12导轨：
布局布局
