VOUT=2.5 V对正负载电流阶跃的输出电压响应从5 A变为10 A，VIN=12 V时的转换率为5 A/s。上记录道：输出电压（100μmv/div.）；底部轨迹：负载电流（5a/div.）。co=100f陶瓷。时间刻度：20s/div。μμ
VOUT=2.5 V对负负载电流阶跃的输出电压响应从10 A变为5 A，VIN=12 V时转换率为-5 A/s。上记录道：输出电压（100 mV/div.）；下记录道：负载电流（5 A/div.）。co=100f陶瓷。时间刻度：20s/div。μμμ
环境温度[摄氏度]1：VOUT=2.0 V转换器的可用负载电流与环境温度和气流速率，垂直安装VIN=12 V，最大MOSFET温度110℃。
VOUT=2.0 V转换器的可用负载电流与环境温度和气流速率，水平安装，VIN=12 V，最大MOSFET温度110℃。
效率与负载电流和输入电压
Vout=2.0 V转换器，垂直安装，空气流速为200 LFM（1 m/s），Ta=25℃。
0V.4：功率损耗与负载电流和输入电压的关系
Vout=2.0 V转换器，垂直安装，空气流速为200 LFM（1 m/s），Ta=25℃
在满额定负载电流（电阻）下施加VIN，并在VIN=12 V时施加100 F外部电容，打开VOUT=2.0 V的瞬态。顶部记录道：VIN（10μV/Div.）；底部记录道：输出电压（1 V/Div.）；时间刻度：2 ms/Div.
全额定负载电流下输出电压纹波（20 mV/div.），输入电阻负载，外部电容为100 F陶瓷+1 F陶瓷，输出电压为12 V=μμ
VOUT=2.0 V对正负载电流阶跃的输出电压响应从5 A变为10 A，VIN=12 V时的转换率为5 A/s。上记录道：输出电压（100μmv/div.）；底部轨迹：负载电流（5a/div.）。co=100f陶瓷。时间刻度：20s/div。μμ
VOUT=2.0V到负负载电流阶跃的输出电压响应从10A变为5A，在车辆识别号=12V时转换率为-5A/s。顶部轨迹：输出电压（100mV/div.）；底部轨迹：负载电流（5A/div.）。co=100f陶瓷。时间刻度：20s/div。μμμ
可用负载电流与环境温度和气流速度，Vout=1.8V转换器垂直安装，车辆识别号=12V，最大mosfet温度为110℃。
环境温度[摄氏度]
VOUT=1.8 V转换器的可用负载电流与环境温度和气流速率，水平安装，VIN=12 V，最大MOSFET温度不超过110℃。
效率与负载电流和输入电压
Vout=1.8 V转换器，垂直安装，空气流速为200 lfm（1 m/s），Ta=25℃。
功率损耗与负载电流和输入电压的关系
Vout=1.8 V转换器，垂直安装，空气流速为200 lfm（1 m/s），Ta=25℃。
