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设备描述
ZNBG系列设备旨在满足GAAS的偏压要求卫星常用的HEMT场效应管接收器LNB、PMR、移动电话等。
最少有外部组件。
加上两个电容器和提供漏极电压的电阻以及一些外部的电流控制接地源场效应晶体管，产生FET门所需的调节负轨从单个操作时偏压供应。负偏压，在-3伏时，可以也可用于供应其他外部设备
电路。
ZNBG4000/1和ZNBG6000/1包含分别有四个和六个偏差阶段。在设置漏极电流ZNBG4000/1 2电阻允许单独的场效应晶体管对控制不同级别的ZNBG6000/1 2两个和四个电阻分开控制场效应晶体管。这使得输入场效应管应进行调整，以尽量减少噪声，以下FET阶段可以单独调整以获得最大增益。该系列还提供排水管的选择。要为FET设置的电压
ZNBG4000/6000提供2.2伏的漏极，同时ZNBG4001/6001提供2伏电压。这些装置无条件稳定在整个工作温度下FET就位，以包含推荐的栅极和漏极电容器。这些保证了射频稳定和最小注入噪声。
可以使用少于设备满数的设备FET偏差控制的补充，未使用排水和闸门连接可以保持打开状态。
电路不影响剩余的偏压电路。
为了保护外部FET，电路的设计确保，在任何条件下，包括电源上/下瞬变，栅极驱动偏压电路不能超过-3.5 V的范围。至0.7V。此外，如果负轨遇到故障情况，例如过载或短路时，将电源排至FET将关闭，避免过度
电流。
ZNBG4000/1和ZNBG6000/1是提供QSOP16和20针套装分别为最小设备尺寸。
设备工作温度为-40至70°C适应各种环境条件。
特征
为砷化镓和HEMT场效应晶体管提供偏压
最多驱动4或6个FET
动态场效应晶体管保护
外部电阻设置的漏电流调节负轨发电机只需要2个外部电容器
漏极电压选择
宽电源电压范围
应用卫星接收器LNBS
私人移动无线电（PMR）
移动电话
功能描述
ZNBG器件提供了外部场效应晶体管的所有偏压要求，包括产生门偏压所需的负电源，从单电源电压。
ZNBG系列的单级。ZNBG4000/1含有4种阶段，ZNBG6000/1包含6个。负轨发生器是所有设备的共用部件。外部FET QN的漏极电压由ZNBG装置设定为其正常工作电压。这由车载VD设备参考确定，对于ZNBG4000/6000，这通常是2.2伏，而ZNBG4001/6001通常提供2伏。
场效应管的漏极电流由低值电阻ID感应监测。放大器驱动场效应管的栅极调节QN的栅极电压，使所取的漏电流匹配。
外部电阻RCal所要求的电流。两个ZNBG设备都具有编程功能不同的漏极电流进入选定的场效应晶体管。提供两个RCAL输入。对于ZNBG4000，电阻器RCAL1设置FET 1和2的漏电流，电阻器RCAL2设置FET的漏电流对于ZNBG6000，电阻器RCAL1设置FET 1和4的漏电流，电阻器RCAL2设置FET 2、3、5和6的漏电流。
由于场效应晶体管是一种耗尽型晶体管，通常需要用相对于地，以获得所需的漏电流。提供这种能力一个单一的正电源，该装置包括一个低电流负电源发生器。这个发电机使用一个内部振荡器和两个外部电容器，CNB和CSUB。
应用程序信息
以上是ZNBG系列的部分应用电路，显示所有外部元件。
需要适当的偏压。偏压电路在整个过程中无条件稳定。
电路中相关FET和栅极和漏极电容的温度范围。电容器CD和CG确保剩余电源和基板发电机噪声不允许影响对射频干扰敏感的其他外部电路。他们也通过ZNBG设备抑制各阶段之间的任何潜在射频馈通。这些使用的所有阶段都需要电容器。10nF和4.7nF的值分别为但建议这取决于设计，1nF和100nF之间的任何值都可以
使用。
电容器CNB和CSUB是ZNBGS负电源发生器的组成部分。这个负偏压是利用内部振荡器在芯片上产生的。要求的值电容器CNB和CSUB为47nF。该发电机产生的低电流约为-3伏。尽管该发生器仅用于偏压外部FET，但可用于通过CSUB引脚为其他外部电路供电。
电阻器RCAL1/2设置所有外部FET工作时的漏极电流。两个ZNBG设备有设备将不同的漏极电流编程到选定的场效应晶体管中。两个RCAL输入是提供。对于ZNBG4000，电阻器RCAL1设置FET 1和2的漏电流，电阻器RCAL2设置FETS 3和4的漏电流。对于ZNBG6000，电阻器RCAL1设置漏电流在FET 1和4中，电阻RCAL2设置FET 2、3、5和6的漏电流。如果相同的漏电流对于任一设备上的所有FET都是必需的，那么插脚RCAL1和RCAL2可以连接在一起，并且通过一个半正常值的校准电阻接地。
如果不需要任何偏压控制电路，其相关的漏极和栅极连接可能保持开路。
不影响其余偏压电路工作的电路。如果所有FET都与省略了一个电流设置电阻器，还应包括特定的RCAL。供应如果需要，可以使用高值RCAL电阻器（例如470K）降低电流。
应用程序信息（续）
ZNBG器件的设计是为了保护外部FET不受不利操作的影响。
条件。当JFET连接到任何偏压电路时，偏压电路的栅极输出电压在任何情况下，包括通电和断电，不得超过-3.5 V至0.7 V的范围。瞬变。负偏压发生器是否短路或过载，从而使漏电流在无法控制外部FET的情况下，关闭FET的排水供应以避免漏极电流过大会损坏场效应晶体管。
下图显示了典型LNB应用中的ZNBG4000/1和ZNBG6000/1。
在每个场效应晶体管增益级内，编号系统指示偏置级与应用电路。当RCAL值用于设置不同的漏极电流时，这一点很重要。
双标准或增强型LNB方框图
